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分析師：車用電池降價(jià)格下滑速度將高于預(yù)期
隨著電動(dòng)車技術(shù)與基礎(chǔ)零組件快速到位，市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)預(yù)測(cè)做為關(guān)鍵組件車用電池價(jià)格可在五年內(nèi)減半；但電池原材料方面瓶頸，可能也會(huì)成為車輛電氣化路途上的障礙。到2010年市場(chǎng)需求可望趨于穩(wěn)定，全球車輛銷售額預(yù)計(jì)成長(zhǎng)6%。
2009-10-28
車用電池 價(jià)格下滑 鋰電池
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鋰電工業(yè)將隨風(fēng)能/太陽(yáng)能產(chǎn)業(yè)一同迅猛增長(zhǎng)
據(jù)Pike市調(diào)公司最近發(fā)布的一份《儲(chǔ)能技術(shù)市場(chǎng)報(bào)告》預(yù)測(cè)，到2018年，鋰離子電池產(chǎn)業(yè)總值將達(dá)到10億美元。過(guò)去，鋰離子電池主要被用于電子產(chǎn)品， 最近幾年電動(dòng)汽車產(chǎn)品中也開(kāi)始啟用這種電池，不過(guò)Pike公司預(yù)測(cè)，未來(lái)這種電池很可能會(huì)被使用到風(fēng)能，太陽(yáng)能等非常規(guī)供電方案中去，一旦如此，鋰離子電池...
2009-10-27
風(fēng)能 太陽(yáng)能 鋰離子電池 硫化鈉電池技術(shù)
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3RG7 BERO:西門子光電式傳感器
光電式傳感器非接觸地探測(cè)物體，廣泛用于許多自動(dòng)化領(lǐng)域，如管理系統(tǒng)、機(jī)械制造、包裝工業(yè)等。 西門子為這些不同的應(yīng)用領(lǐng)域提供了極大范圍的產(chǎn)品，從直徑只有4 mm、可探測(cè)距離50mm的BERO微型接近開(kāi)關(guān)到傳輸距離達(dá)25 m耐用方形K80傳感器，再到極精密的BERO激光傳感器，傳輸距離達(dá)50 m。
2009-10-27
3RG7 BERO 傳感器 光電傳感器 激光傳感器 西門子
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太陽(yáng)能“處女地” 交通成優(yōu)勢(shì)
大陸官方積極推動(dòng)綠色能源應(yīng)用，內(nèi)需商機(jī)大開(kāi)，臺(tái)灣業(yè)者積極西進(jìn)設(shè)點(diǎn)，看好的就是龐大的內(nèi)需市場(chǎng)商機(jī)。聯(lián)電集團(tuán)這次更大動(dòng)作把薄膜太陽(yáng)能電池與系統(tǒng)布局同時(shí)押寶山東，更讓臺(tái)灣太陽(yáng)能廠進(jìn)軍大陸受到矚目。
2009-10-27
太陽(yáng)能 交通 內(nèi)需市場(chǎng) 處女地
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國(guó)家將收緊多晶硅項(xiàng)目再融資
國(guó)家發(fā)改委產(chǎn)業(yè)協(xié)調(diào)司司長(zhǎng)陳斌10月15日表示，為了引導(dǎo)多晶硅產(chǎn)業(yè)健康發(fā)展，避免產(chǎn)業(yè)過(guò)度競(jìng)爭(zhēng)，促進(jìn)節(jié)能減排，國(guó)家將多晶硅產(chǎn)業(yè)列為產(chǎn)能過(guò)剩的行業(yè)，將控制多晶硅項(xiàng)目的再融資。而最近，中國(guó)證監(jiān)會(huì)也向國(guó)家發(fā)改委移交了部分關(guān)于企業(yè)融資的審查權(quán)，以控制多晶硅等企業(yè)的再融資
2009-10-27
國(guó)家發(fā)改委 多晶硅 再融資
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降壓轉(zhuǎn)換器電流取樣電阻三種位置的選擇
本文介紹了電流模式降壓轉(zhuǎn)換器的電流取樣電阻放置的三種位置，即輸入端、輸出端及續(xù)流管，同時(shí)詳細(xì)地說(shuō)明了這三種位置各自的優(yōu)點(diǎn)及缺點(diǎn)，還闡述了由此而產(chǎn)生的峰值電流模式和谷點(diǎn)電流模式的工作原理，以及它們各自的工作特性。本文也給出了使用高端主開(kāi)關(guān)管導(dǎo)通電阻、低端同步開(kāi)關(guān)管導(dǎo)通電阻，以及...
2009-10-26
降壓轉(zhuǎn)換器 峰值電流模式 谷點(diǎn)電流模式
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基于MOSFET內(nèi)部結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)優(yōu)化的驅(qū)動(dòng)電路
功率MOSFET具有開(kāi)關(guān)速度快，導(dǎo)通電阻小等優(yōu)點(diǎn)，因此在開(kāi)關(guān)電源，馬達(dá)控制等電子系統(tǒng)中的應(yīng)用越來(lái)越廣。通常在實(shí)際的設(shè)計(jì)過(guò)程中，電子工程師對(duì)其的驅(qū)動(dòng)電路以及驅(qū)動(dòng)電路的參數(shù)調(diào)整并不是十分關(guān)注，尤其是從來(lái)沒(méi)有基于MOSFET內(nèi)部的微觀結(jié)構(gòu)去考慮驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)，導(dǎo)致在實(shí)際的應(yīng)用中，MOSFET產(chǎn)生一定...
2009-10-26
MOSFET 驅(qū)動(dòng)電路
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電動(dòng)車無(wú)刷電機(jī)超靜音控制器設(shè)計(jì)----基于高速A/D實(shí)現(xiàn)精準(zhǔn)電流補(bǔ)償
本文根據(jù)直流永磁無(wú)刷電動(dòng)機(jī)的轉(zhuǎn)矩特性，分析了在電機(jī)運(yùn)行中產(chǎn)生脈動(dòng)轉(zhuǎn)矩的原因，并針對(duì)換相電流引起轉(zhuǎn)矩脈動(dòng)進(jìn)行了優(yōu)化設(shè)計(jì)，在實(shí)際應(yīng)用中取得了較好的效果。
2009-10-26
直流永磁無(wú)刷電機(jī) 轉(zhuǎn)矩脈動(dòng) 電流補(bǔ)償
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帶有內(nèi)置ESD保護(hù)的MOSFET
CMLDM7003是一種雙通道N溝道的增強(qiáng)模式MOSFET，帶有內(nèi)置的2kV ESD保護(hù)。它帶有兩個(gè)獨(dú)立的50V，280mA的MOSFET，在每個(gè)器件的源極和柵極之間帶有瞬變電壓抑制柵。該器件的導(dǎo)通電阻RDS(on)在50mA，1.8V時(shí)是3.0歐姆
2009-10-26
CMLDM7003 MOSFET ESD保護(hù)
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