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HMC641LP4E/HMC944LC4:Hittite推出單刀四擲開關(guān)用于測試測量設(shè)備
近日,全球知名的射頻微波MMIC廠商Hittite公司推出兩個SMT封裝的GaAs MMIC SP4T開關(guān)(單刀四擲),HMC641LP4E和HMC944LC4,從而為高達(dá)30GHz的工業(yè)傳感器、測試測量設(shè)備、微波通訊、電子對抗和空間應(yīng)用領(lǐng)域提供理想解決方案。
2010-11-29
HMC641LP4E HMC944LC4 單刀四擲 開關(guān) 測試測量
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太陽能電池艱難抉擇
原本堅持做薄膜電池的無錫尚德,做出了一個艱難的決定。公司將原本擬生產(chǎn)薄膜太陽能電池的上海工廠,轉(zhuǎn)產(chǎn)多晶硅電池。11月初,無錫尚德上海新的多晶硅電池生產(chǎn)廠正式投產(chǎn),而這一工廠由建設(shè)中的薄膜電池廠轉(zhuǎn)型而來。
2010-11-29
太陽能電池 多晶硅電池 薄膜電池
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10月份電子信息產(chǎn)品出口增速繼續(xù)回落
進(jìn)入三季度以來,我國電子信息產(chǎn)品出口增速持續(xù)回落,10月份,電子信息產(chǎn)品出口增長14.9%,比上月回落8.2個百分點(diǎn)(9月比8月回落8.5個百分點(diǎn))。累計到10月底,電子信息產(chǎn)品進(jìn)出口額達(dá)到8143億美元,同比增長34.0%,占全國外貿(mào)進(jìn)出口總額的34%...
2010-11-29
電子信息 電子元件 通信設(shè)備
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2011第九屆北京國際電子設(shè)備、元器件及電子儀器展覽會
第九屆國際電子設(shè)備、元器件及電子儀器展覽會,將于2011年8月10-12日在北京中國國際展覽中心舉行。
2010-11-26
第九屆北京電子工業(yè)展覽會 生產(chǎn)設(shè)備 電子元器件 測試設(shè)備
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1-10月規(guī)模以上電子信息制造業(yè)實現(xiàn)銷售產(chǎn)值50589億元
隨著信息技術(shù)服務(wù)化趨勢的不斷發(fā)展,信息技術(shù)服務(wù)收入占軟件業(yè)比重逐步提高。1-10月,規(guī)模以上電子信息制造業(yè)增加值增長17.7%,高于工業(yè)平均水平1.6個百分點(diǎn);實現(xiàn)銷售產(chǎn)值50589億元,增長25.9%;出口交貨值29651億元,增長28.4%,比2008年同期增長16.0%...
2010-11-26
電子信息制造業(yè) 家用視聽 軟件業(yè)務(wù) 嵌入式系統(tǒng)
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觸摸屏引爆電子元器件大爆發(fā)
由傳統(tǒng)興起到新型暢行,由戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)牽頭到“蘋果”概念引爆,電子元器件各環(huán)節(jié)作為各產(chǎn)業(yè)發(fā)展中不可或缺的一環(huán),逐漸成為市場資金追逐的目標(biāo),在觸摸屏概念股先行走俏的行情下,下一個“一觸即發(fā)”的概念在哪兒?記者昨天采訪了多位分析師。
2010-11-26
觸摸屏 電子元器件 IGBT LED照明 傳統(tǒng)元器件
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PCIM-Asia 2011為電網(wǎng)配套設(shè)備提供參考
隨著現(xiàn)代化工程設(shè)施對電量需求的增加,以及電網(wǎng)設(shè)備的升級,用戶對大電流傳輸系統(tǒng)有了更高的要求。在輸電領(lǐng)域,母線已經(jīng)在很多場合開始取代傳統(tǒng)多路電纜。母線作為電力高速公路具有良好的穩(wěn)定性,散熱性,并且安裝簡便,避免了傳統(tǒng)施工中的諸多問題。
2010-11-25
電網(wǎng)配套設(shè)備 PCIM-Asia 2011 大電流傳輸 母線 傳統(tǒng)電纜
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辰駒電子高安全性電路保護(hù)解決方案閃耀深圳高交會
在剛剛閉幕的深圳高新技術(shù)成果交流會上,深圳市辰駒電子科技有限公司(CNJU)攜多款電路保護(hù)產(chǎn)品出席,其中包括封裝型高能防火防爆壓敏電阻、 TMOV、陶瓷氣體放電管、無續(xù)流過電壓保護(hù)器PQ系列、低壓避雷器等。大方簡約的展臺吸引了很多的觀眾,并充分了解辰駒電子的產(chǎn)品和技術(shù)。
2010-11-25
電路保護(hù) 高安全性 辰駒電子 高交會
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超低壓雙電層晶體管研究獲得進(jìn)展
膜晶體管(Thin-filmtransistors,TFTs)是一類重要的半導(dǎo)體器件,在平板顯示、傳感器等領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用價值。最近幾年,寬帶隙氧化物半導(dǎo)體由于其具有低溫成膜、高電子遷移率、可見光透明等優(yōu)點(diǎn),在薄膜晶體管領(lǐng)域引起了人們廣泛的研究興趣。由于常規(guī)SiO2柵介質(zhì)電容耦合較弱,當(dāng)前薄膜晶體管的典型...
2010-11-25
薄膜晶體管 半導(dǎo)體器件 階段性 突破
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- Position / Current Sensors - Triaxis Hall