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安森美半導體新增九種高性能溝槽型場截止IGBT
安森美半導體擴充NGBTxx系列1,200伏(V)溝槽型場截止(FS) 絕緣門雙極晶體管(IGBT)器件，推出9款新的高能效方案，提升系統(tǒng)總體開關能效，降低功率耗散，且提升系統(tǒng)可靠性，這些產(chǎn)品中包含專門針對太陽能及不間斷電源(UPS)應用高性能電源轉換的器件。
2012-10-25
安森美半導體 溝槽型場截止IGBT 電機控制 太陽能
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德州儀器首推支持10Gbps以太網(wǎng)標準的收發(fā)器
德州儀器 (TI) 宣布推出業(yè)界首款支持多種 10G/40G 以太網(wǎng)標準以及 1 Gbps 至 10 Gbps 多種專有速率的 4 通道 XAUI/10GBASE-KR 收發(fā)器TLK10034 ，能靈活應用于物理層 (PHY) 串行器／解串器 (SerDes) ，幫助工程師采用單個串行器／解串器滿足其所有協(xié)議需求，無需準備多種器件。
2012-10-25
德州儀器 10Gbps 以太網(wǎng)標準 收發(fā)器
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愛特梅爾推出獲Windows 8認證的mXT3432S
特梅爾公司(Atmel)宣布設計用于快速增長的超級本和筆記本電腦市場的maXTouch S系列器件現(xiàn)已供貨。新推出的Windows 8認證Atmel mXT3432S以maXTouch S系列的成功為基礎，是優(yōu)化用于最大17.3英寸觸摸屏的小占位面積觸摸屏控制器。
2012-10-25
愛特梅爾 Windows 8 mXT3432S 超級本 筆記本
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解決模擬工程師的困擾:晶振匹配和溫度漂移
模擬工程師，在電路中使用晶振時，經(jīng)常會碰到這樣的煩惱，一是晶振在電路中匹配不理想，影響使用效果；二是晶振的溫度漂移太大，甚至影響產(chǎn)品的性能。
2012-10-24
晶振 晶振匹配 溫度漂移
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D類功放和與AB類功放優(yōu)缺點對比
“數(shù)字功放”的基本電路是早已存在的Ｄ類放大器（國內稱丁類放大器）。以前，由于價格和技術上的原因，這種放大電路只是在實驗室或高價位的測試儀器中應用。這幾年的技術發(fā)展使數(shù)字功放的元件集成到一兩塊芯片中，價格也在不斷下降。理論證明，Ｄ類放大器的效率可達到100％。然而，迄今還沒有找到理想...
2012-10-24
D類功放 AB類功放 數(shù)字功放
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半導體三極管技術參數(shù)分析
中國、印度等新興市場的成長將帶動消費電子產(chǎn)品如LCD TV、筆記本電腦、臺式電腦、雙模數(shù)碼相機（DSC）、手機，汽車電子，智能手機等終端產(chǎn)品需求量上升的強大助力，而3G建設等新產(chǎn)品新行業(yè)的的快速發(fā)展，進而帶動上游半導體三極管的市場成長，給電子行業(yè)帶來巨大商機。那么很多電子行業(yè)的生產(chǎn)企業(yè)在...
2012-10-24
半導體 三極管
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阻值高達100MΩ可邦定的薄膜片式電阻
Vishay推出可邦定的薄膜片式電阻，CS44系列電阻的占位僅有40mil x 40mil (1mm x 1mm) ，電阻值高達100MΩ。該系列具有±50ppm/℃的低TCR和±0.5%的容差。
2012-10-24
Vishay 薄膜電阻 電阻值
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TDK的熱輔助記錄實現(xiàn)每平方英寸1.5Tbit
TDK公開了能夠提高硬盤記錄密度的新型磁頭的開發(fā)成果。通過使用采用近場光的熱輔助記錄方式的磁頭技術，實現(xiàn)了1.5Tbit/inch2的面記錄密度，誤碼率（BER）為10-2。
2012-10-24
TDK 磁頭 硬盤
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2013第十二屆華東（青島）國際電子工業(yè)制造展覽會
華東電子展歷時十一載，已發(fā)展成為北方及環(huán)渤海地區(qū)頂級的電子元器件和電子生產(chǎn)設備的專業(yè)展會。共吸引了來自全球36個國家和地區(qū)的3660家企業(yè)到會參展，累計觀眾達到21萬人次，吸引了來自富士康、三星、LG、TDK、摩托羅拉、飛爾半導體、海爾、海信、澳柯瑪、TCL、浪潮、朗訊等大型企業(yè)的采購團或工...
2012-10-24
電子元件技術網(wǎng)
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