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專(zhuān)家：LED不能停留在封裝階段
佛山正在展現(xiàn)一幅現(xiàn)代制造業(yè)的未來(lái)版圖,15類(lèi)重點(diǎn)產(chǎn)業(yè)正在編制發(fā)展規(guī)劃,其中僅新興產(chǎn)業(yè)就有10項(xiàng)。
2009-11-27
LED 封裝 LED芯片 佛山
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中國(guó)微電子產(chǎn)業(yè)的第三波浪潮
改革開(kāi)放以來(lái)，中國(guó)微電子產(chǎn)業(yè)經(jīng)歷過(guò)三次快速發(fā)展期，第一次為2000年前，以新濤科技被IDT8500萬(wàn)美元收購(gòu)為代表，新濤科技的成功具有一定的偶然性，因?yàn)樾聺闹黧w運(yùn)作在硅谷，只是研發(fā)在上海，兩頭在外，將新濤科技的成功作為中國(guó)本土微電子的成功起步并不過(guò)分，目前新濤科技創(chuàng)始人楊崇和二次創(chuàng)業(yè)上...
2009-11-27
微電子產(chǎn)業(yè) 山寨產(chǎn)業(yè) 電子制造業(yè)
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中國(guó)有線機(jī)頂盒將轉(zhuǎn)向高級(jí)型市場(chǎng)
中國(guó)有線電視數(shù)字化整轉(zhuǎn)工作在各地區(qū)相繼展開(kāi)，現(xiàn)已發(fā)展到6000萬(wàn)戶(hù)。機(jī)頂盒市場(chǎng)也在整轉(zhuǎn)數(shù)字的增長(zhǎng)中，呈現(xiàn)出兩極化發(fā)展的趨勢(shì)。高級(jí)型機(jī)頂盒發(fā)貨量將節(jié)節(jié)攀升，到2013年的年發(fā)貨量將增至730.8萬(wàn)。
2009-11-27
機(jī)頂盒 高清機(jī)頂盒 有限機(jī)頂盒
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工信部：我國(guó)彩電產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)型加速
隨著我國(guó)彩電產(chǎn)業(yè)政策支持逐步到位，以及企業(yè)研發(fā)能力的增強(qiáng)，我國(guó)彩電產(chǎn)業(yè)正在加速轉(zhuǎn)型。
2009-11-27
彩電產(chǎn)業(yè) 工信部 轉(zhuǎn)型加速
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Stack與NICT共同開(kāi)發(fā)出新型電場(chǎng)探測(cè)器 可準(zhǔn)確測(cè)量出微小電場(chǎng)
日本Stack電子開(kāi)發(fā)出了可準(zhǔn)確測(cè)量微小電場(chǎng)分布狀態(tài)的光外差法光電效應(yīng)電場(chǎng)探測(cè)器“LEO-Probe”。該產(chǎn)品采用日本信息通信研究機(jī)構(gòu)（NICT）轉(zhuǎn)讓的技術(shù)開(kāi)發(fā)，適用于電子設(shè)備的EMC測(cè)量、天線附近的電場(chǎng)測(cè)量、開(kāi)發(fā)高頻電路時(shí)的驗(yàn)證作業(yè)、高速/高密度電路的放射電場(chǎng)測(cè)量以及超高速半導(dǎo)體的運(yùn)行狀態(tài)分析等。
2009-11-27
Stack電子 NICT 新型 電場(chǎng)探測(cè)器 微小電場(chǎng)
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達(dá)虹投資觸控面板新生產(chǎn)線 友達(dá)8.5代線新廠復(fù)工
達(dá)虹將計(jì)劃投資250億元在中科投資興建新廠，用于生產(chǎn)投射式電容觸控面板，預(yù)計(jì)于2011年量產(chǎn)。而友達(dá)原定要于明年下半年才復(fù)工的第2條8.5代線新廠，據(jù)悉也已于近期提早復(fù)工。
2009-11-27
達(dá)虹 投資 觸控面板 友達(dá) 復(fù)工
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紅外熱像儀在電源制造業(yè)的應(yīng)用
本文主要講解測(cè)試儀器紅外熱像儀在開(kāi)關(guān)電源和UPS制造中的的應(yīng)用
2009-11-27
紅外熱像儀 電源制造 開(kāi)關(guān)電源 UPS電源
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力科公司成功舉辦USB3.0暨SATA3.0端到端測(cè)試技術(shù)研討會(huì)
日前，由美國(guó)力科公司在上海、深圳兩地舉辦的USB3.0暨SATA3.0端到端測(cè)試技術(shù)研討會(huì)熱鬧非凡，特別是USB3.0測(cè)試技術(shù)受到熱烈關(guān)注。由三位來(lái)自美國(guó)的技術(shù)專(zhuān)家向深圳地區(qū)來(lái)自不同公司的230多位工程師介紹了USB3.0和SATA 3.0的技術(shù)進(jìn)展并展示了力科的最新測(cè)試方案。
2009-11-26
力科 USB3.0 SATA 3.0 研討會(huì) 端到端 PeRT3
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Gartner：10年半導(dǎo)體營(yíng)收將反彈至08年水平
2009年全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)營(yíng)收將維持在2,260億美元的規(guī)模，較2008年的2,550億美元衰退11.4%。Gartner并預(yù)期2010年全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)營(yíng)收將反彈至2008年2,550億美元的總營(yíng)收水平，較2009年成長(zhǎng)13%。
2009-11-26
Gartner 半導(dǎo)體 ASSP NAND閃存
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