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安森美半導體推出新的高密度溝槽MOSFET
安森美半導體(ON Semiconductor)推出24款新的30伏(V)、N溝道溝槽(Trench)金屬氧化物半導體場效應晶體管(MOSFET)。這些MOSFET采用DPAK、SO-8FL、μ8FL及SOIC-8封裝， 為計算機和游戲機應用中的同步降壓轉(zhuǎn)換器提供更高的開關性能。
2009-11-03
安森美 半導體 高密度 溝槽MOSFET
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富士通將收購三洋部分電池業(yè)務
北京時間10月28日消息，日本三洋電機公司表示，將出售部分電池業(yè)務給富士通子公司，作價64億日元(7000萬美元)，這使得三洋在被松下公司計劃收購前，給了反壟斷監(jiān)管機構(gòu)一個交代。
2009-11-03
富士通 收購 三洋 電池業(yè)務
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北京首個太陽能電池生產(chǎn)基地正式投產(chǎn)
昨日下午，北京首個非晶硅薄膜太陽能電池生產(chǎn)基地——北京中錦陽150MW薄膜太陽能電池生產(chǎn)基地一期50MW工程在平谷馬坊綠能產(chǎn)業(yè)基地正式投產(chǎn)。
2009-11-03
北京 太陽能電池 基地 投產(chǎn)
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中國太陽能光伏企業(yè)抱團應戰(zhàn)德國光伏企業(yè)
日前，歐美部分企業(yè)申請對中國產(chǎn)太陽能電池進行反傾銷調(diào)查，將光伏產(chǎn)業(yè)再次推上風口浪尖。
2009-11-03
太陽能 光伏企業(yè) 德國 抱團 應戰(zhàn)
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LED應用的電源要求
LED的與傳統(tǒng)白熾燈有著根本的不同。LED的亮度是通過調(diào)節(jié)LED電流來控制的，而LED負載的電阻則會隨著所加負載的不同而變化。LED需要恒定的電流，而不是通過恒定電壓和電阻來保持恒定的亮度。本文介紹大功率LED電路的特點
2009-11-02
LED 電源 LED功耗
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防電磁干擾的重要措施——濾波技術
電磁防護主要有三項措施，即屏蔽、濾波和接地。往往單純采用屏蔽不能提供完整的電磁干擾防護，因為設備或系統(tǒng)上的電纜是最有效的干擾接收與發(fā)射天線。
2009-11-02
電磁防護 濾波
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國家標準助電子工廠提高生產(chǎn)效益
國家標準《電子工業(yè)潔凈廠房設計規(guī)范》已經(jīng)在今年7月1日正式頒布實施，這將對促進我國電子工程技術的發(fā)展，規(guī)范電子潔凈廠房的秩序起到積極的推動作用，也將為響應國家促進節(jié)能環(huán)保的政策奠定一個良好的基礎。
2009-11-02
電子 國家標準 潔凈技術
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光電倍增管原理、特性與應用
光電子應用技術是一門新興的高新技術，當前還處于發(fā)展階段。相信它在21世紀必將有重大創(chuàng)新并迅速崛起。光電子技術產(chǎn)業(yè)也必將發(fā)展成為一種新興的知識經(jīng)濟，從而在新興技術領域形成巨大的生產(chǎn)力。本文主要介紹光電倍增管原理、結(jié)構(gòu)、特性與應用。
2009-11-02
光電 倍增管 光電子
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并聯(lián)穩(wěn)壓器加快電源啟動速度
本文對比新舊設計方案，論證并聯(lián)穩(wěn)壓器加快電源啟動速度的方案
2009-10-30
穩(wěn)壓器 電源 啟動速度
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