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如何選擇步進(jìn)電機(jī)及驅(qū)動(dòng)器
用戶在選擇步進(jìn)電機(jī)及驅(qū)動(dòng)器時(shí)怎樣才能以最優(yōu)的性能、最低的價(jià)格選擇好自己所需的產(chǎn)品。
2013-03-07
步進(jìn)電機(jī) 驅(qū)動(dòng)器 扭矩
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如何解決步進(jìn)電機(jī)發(fā)熱
步進(jìn)電機(jī)在運(yùn)動(dòng)控制系統(tǒng)中得到廣泛的應(yīng)用。然而在使用的時(shí)候，感覺(jué)電機(jī)工作時(shí)有較大的發(fā)熱，實(shí)際上發(fā)熱是步進(jìn)電機(jī)的一個(gè)普遍現(xiàn)象，但怎樣的發(fā)熱程度才算正常，以及如何盡量減小步進(jìn)電機(jī)發(fā)熱。
2013-03-07
步進(jìn)電機(jī) 發(fā)熱 運(yùn)動(dòng)控制
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盤點(diǎn)MLC電容器常見(jiàn)問(wèn)題的解決辦法
相比電解電容器，多層陶瓷電容器擁有低成本、高可靠性、長(zhǎng)壽命和小尺寸等優(yōu)勢(shì)。它們均為壓電式、具有非常寬的電容容差范圍，很容易出現(xiàn)破裂，這些都是MLC電容器的存在的一些小缺陷，所有這些問(wèn)題都有相應(yīng)的解決辦法。因此，MLC電容器仍會(huì)變得越來(lái)越受歡迎。
2013-03-07
MLC 陶瓷電容 電解電容
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如何根據(jù)IGBT的驅(qū)動(dòng)要求設(shè)計(jì)過(guò)流保護(hù)？
本文介紹一種采用分立元件組成的驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)，可以降低整個(gè)系統(tǒng)的成本。該驅(qū)動(dòng)電路能夠?yàn)镮GBT提供+15v和-5V驅(qū)動(dòng)電壓確保IGBT的開通和關(guān)斷。同時(shí)具有過(guò)流保護(hù)功能，當(dāng)過(guò)流時(shí)，保護(hù)電路起作用，及時(shí)的關(guān)斷IGBT，防止IGBT損壞，本電路的可根據(jù)負(fù)載的需要?jiǎng)討B(tài)調(diào)節(jié)最大電流，可以有很廣的使用范圍。
2013-03-07
igbt 過(guò)流保護(hù) 電路設(shè)計(jì)
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【電源設(shè)計(jì)小貼士36】：使用高壓LED提高燈泡效率
在確定如何最好地讓用戶同線電壓隔離的過(guò)程中，我們需要深思熟慮、權(quán)衡利弊。我們可以在電源中實(shí)現(xiàn)隔離，也可以在LED安裝過(guò)程中進(jìn)行這種隔離。在一些低功耗設(shè)計(jì)中，LED物理隔離是一種常用方法，因?yàn)樗试S使用成本更低的非隔離式電源。
2013-03-07
電源 LED
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【電源設(shè)計(jì)小貼士33】：注意SEPIC耦合電感回路電流2
本文將討論如何確定SEPIC拓?fù)渲旭詈想姼械穆╇姼幸?。上次，我們討論了耦合電容器AC電壓被施加于耦合電感漏電感的情況。漏電感電壓會(huì)在電源中引起較大的回路電流。這次我們將介紹利用松散耦合電感和緊密耦合電感所構(gòu)建電源的一些測(cè)量結(jié)果。
2013-03-06
電源 耦合電感 回路電流
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第一講：氣體放電管的原理、選型及設(shè)計(jì)實(shí)例分析
雷擊放電對(duì)通訊線路以及電子設(shè)備會(huì)產(chǎn)生重大的影響，因此,運(yùn)用有效的設(shè)備對(duì)雷電的產(chǎn)生進(jìn)行控制和釋放,對(duì)于保護(hù)通信線路和設(shè)備的安全是十分重要的。氣體放電管能夠快速地將雷擊產(chǎn)生的電量進(jìn)行釋放,保護(hù)線路和設(shè)備的安全。本文將實(shí)例講解氣體放電管在雷電浪涌防護(hù)方面的作用。
2013-03-05
氣體放電管 防雷 設(shè)計(jì)實(shí)例
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【電源設(shè)計(jì)小貼士32】：注意SEPIC耦合電感回路電流1
在這篇【電源設(shè)計(jì)小貼士】中，我們將確定SEPIC拓?fù)渲旭詈想姼械囊恍┞╇姼幸蟆Ｔ诓灰笾骷?jí)電路和次級(jí)電路之間電氣隔離且輸入電壓高于或者低于輸出電壓時(shí)，SEPIC是一種非常有用的拓?fù)洹?/p>
2013-03-05
電源 耦合電感 回路電流
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【電源設(shè)計(jì)小貼士31】：同步降壓MOSFET電阻比的正確選擇
在這篇【電源設(shè)計(jì)小貼士】中，我們將研究在同步降壓功率級(jí)中如何對(duì)傳導(dǎo)功耗進(jìn)行折中處理，而其與占空比和FET電阻比有關(guān)。進(jìn)行這種折中處理可得到一個(gè)用于FET選擇的非常有用的起始點(diǎn)。
2013-03-04
電源 MOSFET
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