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什么是柵極－源極電壓產(chǎn)生的浪涌？
MOSFET和IGBT等功率半導(dǎo)體作為開關(guān)元件已被廣泛應(yīng)用于各種電源應(yīng)用和電力線路中。其中，SiC MOSFET在近年來的應(yīng)用速度與日俱增，它的工作速度非?？欤灾劣陂_關(guān)時(shí)的電壓和電流的變化已經(jīng)無法忽略SiC MOSFET本身的封裝電感和外圍電路的布線電感的影響。特別是柵極-源極間電壓，當(dāng)SiC MOSFET本身的電...
2021-06-10
柵極 源極電壓 浪涌
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A2B技術(shù)和數(shù)字麥克風(fēng)如何在新興汽車應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)出色的性能
這篇關(guān)于Automotive Audio Bus? (A2B?，汽車音頻總線）技術(shù)的文章介紹數(shù)字麥克風(fēng)和連接技術(shù)的最新進(jìn)展。這些創(chuàng)新正在促使支持新世代汽車信息娛樂系統(tǒng)的變革性應(yīng)用得到迅速采用。
2021-06-09
A2B技術(shù) 數(shù)字麥克風(fēng) 新興汽車應(yīng)用
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用于快速測(cè)試電路信號(hào)響應(yīng)的袖珍型白噪聲發(fā)生器
電路中的噪聲通常都是有害的，任何好電路都應(yīng)該輸出盡可能低的噪聲。盡管如此，在某些情況下，一個(gè)特性明確且沒有其他信號(hào)的噪聲源就是所需的輸出。
2021-06-04
測(cè)試 電路信號(hào) 白噪聲發(fā)生器
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電磁干擾的標(biāo)準(zhǔn)、成因和緩解技術(shù)
工業(yè)、汽車與個(gè)人計(jì)算應(yīng)用中的電子系統(tǒng)愈發(fā)密集且互相連接。為了改善這類系統(tǒng)的尺寸和功能，因此在封裝各種不同電路時(shí)皆采取近封裝距離。有鑒于前述限制，降低電磁干擾(EMI)影響也逐漸成為重要的系統(tǒng)設(shè)計(jì)考慮。
2021-06-03
EMI 標(biāo)準(zhǔn) 成因 緩解技術(shù)
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如何抑制來自開關(guān)電源的復(fù)雜的FM頻段傳導(dǎo)輻射？
如何抑制來自開關(guān)電源的復(fù)雜的FM頻段傳導(dǎo)輻射？雖然EMI屏蔽和鐵氧體夾是較受歡迎的EMI解決方案，但它們價(jià)格昂貴、體積笨重，有時(shí)使用效果不理想。我們可以通過了解FM頻段EMI噪聲的來源，以及利用電路和PCB設(shè)計(jì)技術(shù)從源頭進(jìn)行抑制，以降低這些噪聲。
2021-06-03
抑制 FM頻段 EMI
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CTSD精密ADC — 第3部分：實(shí)現(xiàn)固有混疊抑制
在CTSD精密ADC系列文章的第3部分，我們將重點(diǎn)闡述CTSD ADC的無混疊特性，它可在不增加任何外圍設(shè)計(jì)的情況下提高抗干擾能力。第1部分 展示了一種新的基于連續(xù)時(shí)間∑-? DAC(CTSD)架構(gòu)、易于使用的無混疊精密ADC，可提供簡(jiǎn)單、緊湊的信號(hào)鏈解決方案。 第2部分 向信號(hào)鏈設(shè)計(jì)人員介紹了CTSD技術(shù)。本文比較...
2021-06-03
CTSD ADC 混疊抑制
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與模數(shù)轉(zhuǎn)換器的噪聲相比，電阻噪聲怎么樣？
模數(shù)轉(zhuǎn)換器的總噪聲頻譜密度性能實(shí)際上反映為一系列參數(shù)，如熱噪聲、抖動(dòng)以及量化噪聲——也就是特定帶寬（BW）上的信噪比（SNR）。在設(shè)計(jì)人員試圖理 解被采樣信號(hào)中的轉(zhuǎn)換器最低可分辨“步進(jìn)”時(shí)，轉(zhuǎn)換器數(shù)據(jù)手冊(cè)中給出的信噪比可以給他們提供現(xiàn)實(shí)的期望值。這個(gè)步進(jìn)也被稱為最低有效位或LSB。對(duì)于一個(gè)...
2021-06-02
模數(shù)轉(zhuǎn)換器 噪聲 電阻噪聲
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火星“訪客”不斷的背后，是一條電子設(shè)備與輻射的對(duì)抗之路
作為人類深空探測(cè)最熱門的焦點(diǎn)，火星近來“訪客”不斷。2021年5月15日，一輛以中國神話傳說中火神命名的小車——“祝融號(hào)”跨越4.5億公里浩瀚宇宙，成功登陸火星北半球的烏托邦平原。
2021-06-01
火星 電子設(shè)備 輻射
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芯和半導(dǎo)體片上無源電磁場(chǎng)仿真套件成功通過三星8LPP工藝認(rèn)證
2021年5月14日，中國上海訊——國內(nèi)EDA行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者，芯和半導(dǎo)體科技（上海）有限公司（以下簡(jiǎn)稱“芯和半導(dǎo)體”）宣布，其片上無源電磁場(chǎng)（EM）仿真套件已成功通過三星晶圓廠的8納米低功耗（8LPP）工藝技術(shù)認(rèn)證。該套件包含了快速三維電磁場(chǎng)仿真器IRIS和快速自動(dòng)PDK建模工具iModeler，此次認(rèn)證能顯著地提...
2021-05-14
芯和半導(dǎo)體 片上無源電磁場(chǎng) 三星8LPP工藝認(rèn)證
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