【導(dǎo)讀】ESD 保護(hù)器件的目的是將數(shù)千伏的 ESD 輸入降低至受保護(hù) IC 的安全電壓，并將電流從 IC 分流出去。盡管所需 ESD 波形的輸入電壓和電流在過去幾年中沒有變化，但保護(hù) IC 所需的安全電壓水平卻有所下降。過去，IC 設(shè)計(jì)對 ESD 更加穩(wěn)健，并且可以處理更高的電壓，因此選擇能夠滿足 IEC61000-4-2 4 級要求的任何保護(hù)二極管就足夠了。
ESD 波形
在系統(tǒng)級定義典型 ESD 事件的常用波形是 IEC61000-4-2 波形，其特點(diǎn)是亞納秒上升時(shí)間和高電流水平（見圖 1）。該波形的規(guī)格規(guī)定了 4 個(gè)級別的 ESD 幅度。大多數(shù)設(shè)計(jì)人員都需要將其產(chǎn)品鑒定為別，即 8kV 接觸放電或 15kV 空氣放電。在元件級進(jìn)行測試時(shí)，接觸放電測試是合適的測試，因?yàn)榭諝夥烹姕y試在如此小的元件上不可重復(fù)。
ESD 保護(hù)器件的目的是將數(shù)千伏的 ESD 輸入降低至受保護(hù) IC 的安全電壓，并將電流從 IC 分流出去。盡管所需 ESD 波形的輸入電壓和電流在過去幾年中沒有變化，但保護(hù) IC 所需的安全電壓水平卻有所下降。過去，IC 設(shè)計(jì)對 ESD 更加穩(wěn)健，并且可以處理更高的電壓，因此選擇能夠滿足 IEC61000-4-2 4 級要求的任何保護(hù)二極管就足夠了。對于更新、更靈敏的 IC，當(dāng)今的設(shè)計(jì)人員不僅必須確保保護(hù)器件能夠滿足 IEC61000-4-2 4 級標(biāo)準(zhǔn)，還要確保器件將 ESD 脈沖鉗位在足夠低的電壓，以確保IC沒有損壞。在為給定應(yīng)用選擇保護(hù)器件時(shí)，設(shè)計(jì)人員必須考慮 ESD 保護(hù)器件將傳入 ESD 事件鉗位到多低。
如何選擇有效的保護(hù)解決方案
保護(hù)二極管數(shù)據(jù)表上的關(guān)鍵直流規(guī)格是擊穿電壓、漏電流和電容。大多數(shù)數(shù)據(jù)表還將規(guī)定 IEC61000-4-2 的額定值，這表明二極管不會被指定級別的 ESD 脈沖損壞。大多數(shù)數(shù)據(jù)表的問題在于，它們沒有任何有關(guān)高頻、高電流瞬變（例如 ESD）的鉗位電壓的信息。與數(shù)據(jù)表中指定的直流電壓相比，在這些類型的瞬態(tài)事件期間，保護(hù)二極管的鉗位電壓要高得多。然而，很難為 IEC61000-4-2 規(guī)范指定鉗位電壓，因?yàn)樗荚诔蔀橄到y(tǒng)級的通過/失敗規(guī)范，并且頻率非常高。要將這一規(guī)范應(yīng)用于保護(hù)器件，不僅要檢查保護(hù)二極管是否通過，還要檢查它對 ESD 電壓的鉗位有多低，這一點(diǎn)至關(guān)重要。
比較保護(hù)二極管鉗位電壓的方法是使用示波器截取 ESD 事件期間二極管兩端的實(shí)際電壓波形。這是通過測試設(shè)置來完成的（參見圖 2）。
當(dāng)查看暴露于 IEC61000-4-2 的 ESD 保護(hù)器件的電壓波形時(shí)，通常會出現(xiàn)一個(gè)初始電壓尖峰，隨后出現(xiàn)二次峰值，終電壓將趨于平穩(wěn)。初始尖峰是由 IEC61000-4-2 波形的初始電流尖峰和測試結(jié)構(gòu)中的電感引起的過沖共同引起的。然而，初始尖峰持續(xù)時(shí)間很短，這限制了傳輸?shù)?IC 的能量。保護(hù)裝置的鉗位性能地顯示在初始過沖之后的曲線中。二次峰值是主要問題，因?yàn)殡妷翰ㄐ纬掷m(xù)時(shí)間較長，從而增加了 IC 所承受的總能量。在下面的研究中，鉗位電壓被定義為次級峰值的電壓。
基準(zhǔn)研究示例
為了進(jìn)行公平比較，所選部件應(yīng)具有相似的封裝尺寸和數(shù)據(jù)表規(guī)格。本次比較選擇的部件是三個(gè) ESD 保護(hù)二極管，在比較數(shù)據(jù)表中的電氣特性時(shí)，這三個(gè)二極管被視為可以直接替代。這些器件均為雙向 ESD 保護(hù)二極管，具有相同的擊穿電壓 (6.8V)、電容 (15pf) 和封裝外形 (1.0 mm x 0.6 mm x 0.4 mm)。本研究選擇的產(chǎn)品是 Rohm 的 RSB6.8CS、KEC 的 PG05DBTFC 以及 ON Semiconductor 的 ESD9B5.0ST5G。
當(dāng)比較上述部件的直流性能時(shí)，它們看起來似乎相同（參見下面圖 2 中的曲線軌跡）。此外，它們都聲稱符合 IEC61000-4-2 4 級標(biāo)準(zhǔn)，這意味著它們都能承受高達(dá) 8 kV 接觸電壓的 ESD 沖擊。 ESD 保護(hù)器件確保敏感 IC 保護(hù)的關(guān)鍵性能特征不是直流性能，而是直流性能。然而，雖然設(shè)備能夠滿足 IEC61000-4-2 4 級標(biāo)準(zhǔn)很重要，但更重要的是受保護(hù)的 IC 能夠滿足要求。為了確保 IC 在 ESD 事件期間存活，保護(hù)二極管必須將 ESD 電壓鉗位到足夠低的值，以免 IC 損壞。
為了比較每個(gè)器件的鉗位性能，我們將使用示波器截取 ESD 事件期間的電壓波形。我們將進(jìn)行并行測試，保持所有測試條件相同。下面的圖 3 顯示了同一圖表上每個(gè)二極管對正負(fù) ESD 脈沖的響應(yīng)。使用的輸入脈沖是標(biāo)準(zhǔn) IEC61000-4-2 4 級觸點(diǎn) (8 kV)。
圖 3. ESD 保護(hù)二極管的電壓鉗位比較（示波器屏幕截圖）
從圖 3 中的屏幕截圖可以明顯看出，當(dāng)應(yīng)用 ESD 的高電流條件時(shí)，三個(gè)保護(hù)二極管的性能存在明顯差異。與 KEC 和 Rohm 部件（藍(lán)色波形）相比，安森美半導(dǎo)體保護(hù)解決方案（黑色波形）為 ESD 脈沖提供更低的鉗位電壓。對于正脈沖，ON Semiconductor 部件鉗位在 14 V，而 KEC 為 18 V，Rohm 為 23 V。在施加負(fù)脈沖期間，三個(gè)器件之間的鉗位電壓差異變得更加明顯。安森美半導(dǎo)體器件的負(fù)脈沖鉗位電壓為 20 V，KEC 器件的負(fù)脈沖鉗位電壓為 34 V，羅姆器件的負(fù)脈沖鉗位電壓為 42 V。在負(fù) ESD 事件期間，這三個(gè)器件之間存在明顯的區(qū)別，其中 KEC 部件的鉗位電壓比 ON Semiconductor 部件高 70%，而 Rohm 部件的鉗位電壓是 ON Semiconductor 部件的兩倍以上。通過 KEC 和 Rohm 產(chǎn)品的負(fù)脈沖總電壓可能對更容易受到 ESD 損壞的新 IC 設(shè)計(jì)造成潛在危險(xiǎn)。然而，安森美半導(dǎo)體部件在兩個(gè)方向上保持低鉗位電壓，從而限度地降低正負(fù) ESD 脈沖的風(fēng)險(xiǎn)。
良好的保護(hù)器件必須能夠很好地鉗位正負(fù) ESD 脈沖，以保證終產(chǎn)品在實(shí)際條件下具有的可靠性。兩個(gè)方向的低鉗位電壓確保該器件能夠保護(hù)敏感的 IC，從而使設(shè)計(jì)人員能夠利用的 IC 技術(shù)來突破功能和速度的極限。認(rèn)識到鉗位電壓在 ESD 保護(hù)器件選擇中的重要性與日俱增，許多保護(hù)公司都在 ESD 保護(hù)器件的數(shù)據(jù)表中提供了 ESD 鉗位屏幕截圖，如圖 3 所示。
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