亚洲人成网址在线播放,狠狠久久噜噜熟女,十八禁污污污男女午夜网站,国产精品亚洲精品日韩已方 99热免费在线观看_久久99中文字幕久久_久久激情五月丁香无码伊人_欧美久久久久久又粗又大

你的位置:首頁 > 電路保護(hù) > 正文

汽車LiDAR GaN的Design Win——高效功率轉(zhuǎn)換引領(lǐng)市場

發(fā)布時(shí)間:2023-06-06 責(zé)任編輯:lina

【導(dǎo)讀】光探測與測距(LiDAR)是一項(xiàng)具有巨大發(fā)展?jié)摿Φ募夹g(shù)。首個(gè)概念是在激光發(fā)明后不久的20世紀(jì)60年代提出的,隨后在測量,航空航天和自動(dòng)駕駛汽車方面的機(jī)會(huì)真正推動(dòng)了增長。


光探測與測距(LiDAR)是一項(xiàng)具有巨大發(fā)展?jié)摿Φ募夹g(shù)。首個(gè)概念是在激光發(fā)明后不久的20世紀(jì)60年代提出的,隨后在測量,航空航天和自動(dòng)駕駛汽車方面的機(jī)會(huì)真正推動(dòng)了增長。


LiDAR系統(tǒng)的測繪和應(yīng)用范圍各不相同,但它們的工作原理是相同的。他們將激光指向目標(biāo),并利用激光反射到光源所需的時(shí)間來測量距離?!包c(diǎn)云”也可以用來生成3D圖像。激光脈沖速率越高,激光雷達(dá)系統(tǒng)的精度越高。


考慮到對(duì)先進(jìn)駕駛輔助系統(tǒng)(ADAS)和全自動(dòng)駕駛的需求,汽車LiDAR尤其具有吸引力。TechInsights發(fā)布的ADAS預(yù)測(2023年2月)[1]指出,高分辨率LiDAR系統(tǒng)(即用于自動(dòng)駕駛的閃光或掃描類型,而不是用于自動(dòng)緊急制動(dòng)的簡單傳感器)的市場規(guī)模將從目前的3.4億美元增長到2027年的25.9億美元。


汽車行業(yè)通常在車輛的外圍低壓直流總線上使用LiDAR,通常為12 V,越來越多的是48 V。由于這些電壓水平不適用于碳化硅(SiC),氮化鎵(GaN)為高頻激光脈沖提供了理想的替代方案。GaN已經(jīng)在消費(fèi)電子產(chǎn)品中表現(xiàn)出優(yōu)于硅的性能,其在汽車激光雷達(dá)中的應(yīng)用為其增長創(chuàng)造了新的機(jī)會(huì)。該應(yīng)用還可以作為進(jìn)入汽車市場的切入點(diǎn)和更大目標(biāo)的試驗(yàn)場,例如基于氮化鎵的牽引逆變器。


TechInsights汽車激光雷達(dá)拆解分析 – GaN的Design Win


在TechInsights的逆向工程汽車訂閱服務(wù)中,我們有一個(gè)LiDAR拆解分析子頻道[2]。下表顯示了我們觀察到GaN design win的LiDAR系統(tǒng)的選擇。


汽車LiDAR GaN的Design Win——高效功率轉(zhuǎn)換引領(lǐng)市場

高效電源轉(zhuǎn)換(EPC)對(duì)該市場產(chǎn)生了重大影響,我們在10個(gè)激光雷達(dá)系統(tǒng)中觀察到6種不同的EPC產(chǎn)品。我們還注意到在鐳神激光雷達(dá)系統(tǒng)中有兩款英諾賽科的產(chǎn)品。另一個(gè)值得注意的design win是德州儀器;他們的柵極驅(qū)動(dòng)器技術(shù)存在于我們分析的幾個(gè)激光雷達(dá)系統(tǒng)中,其中LMG1020 GaN驅(qū)動(dòng)器是一個(gè)受歡迎的選擇[3]。


作為比較,這些是我們在其他系統(tǒng)中發(fā)現(xiàn)的一些等效硅MOSFET:


英飛凌OptiMOS 產(chǎn)品

- BSZ22DN20NS3 – 200V, 194mΩ RDS(ON) (Typical @ 25? C, VGS = 10 V), 4.2nC Qg

羅姆雙向MOSFET


- SH8K26 – 40V, 35mΩ RDS(ON)(Typical @ 25? C, VGS= 4.5 V), 2.9nC Qg


兩者都針對(duì)開關(guān)性能進(jìn)行了優(yōu)化,具有與所討論的GaN產(chǎn)品相似的柵極電荷值。然而,如果我們看一個(gè)更完整的圖片,并計(jì)算RDS(ON) *Qq的品質(zhì)因數(shù)(FOM),我們可以注意到BSZ22DN20NS3的FOM為814.8mΩ.nC,SH8K26為101.5mΩ.nC,而GaN產(chǎn)品的FOM都沒有超過55mΩ.nC。需要注意的是,這些MOSFET跨越不同的電壓等級(jí);然而,由于GaN器件有效地具有零反向恢復(fù)電荷,因此它們在這些快速開關(guān)應(yīng)用中的優(yōu)勢是顯而易見的。


TechInsights分析功率半導(dǎo)體在激光雷達(dá)中的應(yīng)用


GaN技術(shù)正在迅速發(fā)展,表1中的許多系統(tǒng)(EPC2016、EPC2001、EPC2007、EPC2202和EPC2212)被EPC列為不推薦用于新設(shè)計(jì)的系統(tǒng)。


TechInsights分析了許多可用于LiDAR應(yīng)用的SiC和GaN產(chǎn)品,并完成了關(guān)于英飛凌最新一代硅OptiMOS技術(shù)[4]和羅姆第六代低壓硅MOSFET技術(shù)的功率要素報(bào)告[5]。


對(duì)于GaN,TechInsights完成了在鐳神LiDAR CH128X1 ID123456-MOd中發(fā)現(xiàn)的英諾賽科的INN100W08的電源平面圖分析[6]。在EPC方面,我們完成了針對(duì)LIDAR應(yīng)用定制的汽車認(rèn)證的EPC2221 100 V共源雙向FET的GaN功率平面圖分析[7]。


也許迄今為止我們所見過的最具創(chuàng)新性的產(chǎn)品可以在EPC21601 IC的平面圖報(bào)告[8]中找到,該IC在同一裸片上具有GaN HEMT和相關(guān)的驅(qū)動(dòng)集成電路(IC)(圖1)。


汽車LiDAR GaN的Design Win——高效功率轉(zhuǎn)換引領(lǐng)市場

圖1:EPC21601中發(fā)現(xiàn)的PHASER0553A


圖2中的橫截面針對(duì)該產(chǎn)品的40v額定值進(jìn)行了優(yōu)化。單場板從源觸點(diǎn)向兩個(gè)方向延伸,并與器件的柵極區(qū)域及其外重疊。EPC報(bào)告指出,該產(chǎn)品可以與數(shù)字控制器接口,并且可以在超過100 MHz的頻率下切換。


汽車LiDAR GaN的Design Win——高效功率轉(zhuǎn)換引領(lǐng)市場

圖2:EPC21601 GaN HEMT陣列的掃描電鏡(SEM)橫截面


總結(jié)


隨著氮化鎵技術(shù)的發(fā)展,汽車ADAS系統(tǒng)正在快速發(fā)展。EPC最近宣布了他們的第六代GaN晶體管產(chǎn)品線,我們很高興看到這些產(chǎn)品。

集成驅(qū)動(dòng)功能的GaN IC是否會(huì)進(jìn)入汽車激光雷達(dá)市場?在可靠性和汽車激光雷達(dá)之間進(jìn)行權(quán)衡是一項(xiàng)挑戰(zhàn)。這種類型的激光雷達(dá)的資格測試要嚴(yán)格得多,更高的集成度會(huì)增加復(fù)雜性和潛在的故障點(diǎn)。開關(guān)性能是GaN器件非常適合這種應(yīng)用的原因;然而,集成以消除線鍵的寄生電感有助于進(jìn)一步提高性能。


References:

[1]報(bào)告- Advanced Driver Assistance Systems Forecast - February 2023:https://library.techinsights.com/strategy-analytics/analysis-view/AVS-23...
[2]TechInsights的LiDAR拆解子頻道:https://library.techinsights.com/reverse-engineering/a6rf3000000PDdCAAW/...
[3] https://library.techinsights.com/reverse-engineering/a6rf3000000PDdCAAW/...
[4] 報(bào)告- Infineon ISC027N10NM6ATMA1 Gen6 100 V Si MOSFET Power Essentials:https://library.techinsights.com/reverse-engineering/a6rf3000000PDbhAAG/...
[5]報(bào)告- ROHM SH8KB7 Gen6 Split Gate 40V 13.5A MOSFET Power Essentials:https://library.techinsights.com/reverse-engineering/a6rf3000000PDbhAAG/...
[6]報(bào)告 - Innoscience INN100W08 100 V 36 mOhm GaN Power FET Floorplan Analysis: https://library.techinsights.com/reverse-engineering/a6rf3000000PDbhAAG/...
[7]報(bào)告- EPC2221 Automotive Qualified 100 V Dual FET Power Floorplan Analysis: https://library.techinsights.com/reverse-engineering/a6rf3000000PDbhAAG/...
[8]報(bào)告- EPC 21601 40V, 10A eToF Laser Driver IC Power Floorplan Analysis: https://library.techinsights.com/reverse-engineering/a6rf3000000PDbhAAG/...

(來源: TechInsights微信公眾號(hào),作者: Stephen Russell)


免責(zé)聲明:本文為轉(zhuǎn)載文章,轉(zhuǎn)載此文目的在于傳遞更多信息,版權(quán)歸原作者所有。本文所用視頻、圖片、文字如涉及作品版權(quán)問題,請聯(lián)系小編進(jìn)行處理。


推薦閱讀:

現(xiàn)代戰(zhàn)術(shù)無線電需要氮化鎵

推挽電路的坑,你踩過沒?

設(shè)計(jì)電荷泵雙極電源

抗混疊濾波器:將采樣理論應(yīng)用于 ADC 設(shè)計(jì)

推導(dǎo)電容傳感加速度計(jì)的傳遞函數(shù)

特別推薦
技術(shù)文章更多>>
技術(shù)白皮書下載更多>>
熱門搜索
?

關(guān)閉

?

關(guān)閉