【導(dǎo)讀】下面是表示LS MOSFET關(guān)斷時(shí)的電流動(dòng)作的等效電路和波形示意圖。與導(dǎo)通時(shí)的做法一樣，為各事件進(jìn)行了(IV)、(V)、(VI)編號(hào)。與導(dǎo)通時(shí)相比，只是VDS和ID變化的順序發(fā)生了改變，其他基本動(dòng)作是一樣的。
低邊開(kāi)關(guān)關(guān)斷時(shí)的柵極 – 源極間電壓的動(dòng)作
下面是表示LS MOSFET關(guān)斷時(shí)的電流動(dòng)作的等效電路和波形示意圖。與導(dǎo)通時(shí)的做法一樣，為各事件進(jìn)行了(IV)、(V)、(VI)編號(hào)。與導(dǎo)通時(shí)相比，只是VDS和ID變化的順序發(fā)生了改變，其他基本動(dòng)作是一樣的。與導(dǎo)通時(shí)的事件之間的對(duì)應(yīng)關(guān)系如下：
dVDS/dt帶來(lái)的LS的VGS上升和HS的VGS負(fù)浪涌（波形示意圖T4）是事件(IV)。
波形示意圖的T4周期結(jié)束時(shí)，公式（1）所示的ICGD1消失時(shí)發(fā)生的浪涌是事件(V)。公式（1）與之前使用的公式相同。
然后，漏極電流發(fā)生變化（波形示意圖T6），并發(fā)生公式（2）所示的LSOURCE引起的電動(dòng)勢(shì)，電流如等效電路的事件(VI)中所示流動(dòng)。公式（2）也與之前使用的公式相同。
可以看出的動(dòng)作是，由于該電流以源極側(cè)為負(fù)極向MOSFET的CGS充電，因此在HS側(cè)將VGS推高，在LS側(cè)將VGS向正極側(cè)拉升，以防止VGS下降。結(jié)果就產(chǎn)生了波形示意圖所示的VGS動(dòng)作。波形示意圖中VGS的虛線表示理想的電壓波形。
外置柵極電阻的影響
下面是SiC MOSFET橋式結(jié)構(gòu)的LS關(guān)斷時(shí)的雙脈沖測(cè)試結(jié)果。（a）波形圖的外置柵極電阻RG_EXT為0Ω時(shí)，（b）為10Ω。圖中的(IV)、(V)、(VI)即前面提到的事件。
如波形圖所示，可以看到事件（V）的浪涌非常明顯。
盡管由VDS的變化引起的事件（IV）的影響很小，但由于HS中事件（IV）引起的負(fù)浪涌常常會(huì)超過(guò)額定值，在這種情況下，就需要對(duì)電路采取相應(yīng)的措施。要想減少這種關(guān)斷時(shí)的HS負(fù)浪涌，需要減小HS柵極電阻RG_EXT。然而，需要注意的是，在上一篇文章介紹過(guò)的常用柵極電阻調(diào)節(jié)電路中，事件（IV）在電阻值高的RG_ON側(cè)較為突出。
關(guān)于由事件(VI)引起的VGS抬升，由于該時(shí)刻正好在關(guān)斷（Turn-off）結(jié)束之前，所以即使HS進(jìn)入導(dǎo)通（Turn-on）動(dòng)作，SiC MOSFET橋式結(jié)構(gòu)的LS也已經(jīng)被關(guān)斷，幾乎不會(huì)造成什么問(wèn)題。
（來(lái)源：Rohm）
免責(zé)聲明：本文為轉(zhuǎn)載文章，轉(zhuǎn)載此文目的在于傳遞更多信息，版權(quán)歸原作者所有。本文所用視頻、圖片、文字如涉及作品版權(quán)問(wèn)題，請(qǐng)電話或者郵箱editor@52solution.com聯(lián)系小編進(jìn)行侵刪。
推薦閱讀：
源極驅(qū)動(dòng)器未集成VGH和VGL電源軌的設(shè)計(jì)
如何進(jìn)一步優(yōu)化可實(shí)現(xiàn)顯示屏的 LED 驅(qū)動(dòng)器
由北京冬奧看機(jī)器人技術(shù)趨勢(shì)：安全、靈活、復(fù)合是關(guān)鍵
如何輕松優(yōu)化 AC／DC 轉(zhuǎn)換器以滿足各種EMC要求
SiC MOSFET：橋式結(jié)構(gòu)中柵極－源極間電壓的動(dòng)作
