【導讀】當設計用于48V總線系統(tǒng)的降壓型轉換器時，電源設計師傾向于選擇控制器解決方案（外部MOSFET），而非尺寸小得多的單片式穩(wěn)壓器（內部MOSFET），這是因為，能夠處理如此高輸入電壓的單片式穩(wěn)壓器寥寥無幾，其中大多數(shù)的輸出電流被限制在5A以下。LT8645S/LT8646S單片式穩(wěn)壓器破除了這一陳規(guī)。
LT8645S和LT8646S是65V同步降壓型單片式穩(wěn)壓器，支持8A輸出。它們的SilentSwitcher®2架構可實現(xiàn)優(yōu)異的EMI性能，這與電路板布局無關。LT8646S具有RC外部補償功能電路，以優(yōu)化瞬態(tài)響應。
寬輸入范圍和高輸出電流單片式解決方案
當設計用于48V總線系統(tǒng)的降壓型轉換器時，電源設計師傾向于選擇控制器解決方案（外部MOSFET），而非尺寸小得多的單片式穩(wěn)壓器（內部MOSFET），這是因為，能夠處理如此高輸入電壓的單片式穩(wěn)壓器寥寥無幾，其中大多數(shù)的輸出電流被限制在5A以下。LT8645S/LT8646S單片式穩(wěn)壓器破除了這一陳規(guī)。
LT8645S/LT8646S的65V輸入、高電流單片式SilentSwitcher2降壓型穩(wěn)壓器接受3.4V至65V的寬輸入電壓范圍，并支持高達8A的輸出電流。圖1示出了一款采用LT8645S的完整12V輸出（在8A）解決方案。LT8645S運用內部補償，因而可減少外部組件數(shù)目并簡化設計。旁路電容器的集成進一步縮減了總體解決方案尺寸。如圖2所示，該解決方案的效率達到97%。
圖1.采用LT8645S（在400kHz）的12V、8A應用電路。
圖2.LT8645S12V/8A輸出效率（圖1所示設計）。
快速瞬態(tài)響應和超低EMI
針對特定的應用，只需采用兩個外部組件（VC引腳上的一個電阻器和一個電容器）以優(yōu)化LT8646S的瞬態(tài)響應。圖3示出了5V/8A輸出LT8646S解決方案，圖4則顯示了采用優(yōu)化補償所實現(xiàn)的負載瞬態(tài)響應。
圖3.超低EMILT8646S5V、8A降壓型轉換器（擴展頻譜模式被啟用）。
圖4.LT8646S12V至5V、2A負載階躍瞬態(tài)響應（圖3所示設計，fSW=2MHz）。
在該解決方案中，開關頻率被設定在2MHz，因而允許使用一個小的1μH電感器。另外，LT8645S/LT8646S還可在過載或短路情況下安全地承受電感器飽和，這得益于高速峰值電流模式架構。因此，不必為了應對過流瞬變而使用過大的電感器，除非必需防止出現(xiàn)持續(xù)時間很長的過載或短路。
LT8645S/LT8646S均采用一種SilentSwitcher2架構，此架構結合了分離的熱環(huán)路和集成化旁路電容器。因此，EMI性能對電路板布局是不敏感的，從而在那些要求超低EMI的設計中解除了工程師的這一設計擔憂。圖5給出了采用圖3所示解決方案時的CISPR25輻射EMI測試結果。利用鐵氧體磁珠和電容濾波器，電路能夠滿足嚴格的CISPR25Class5限制。
圖5.圖3所示設計的LT8646SCISPR25輻射發(fā)射測試結果（14V輸入至5V/4A輸出，fSW=2MHz）。
小的最短導通時間和高降壓比
LT8645S和LT8646S具有僅40ns的最短導通時間，因而使其能支持高降壓比，甚至在2MHz的高開關頻率條件下也不例外。例如，在2MHz頻率下將48V轉換至5V需要52ns的導通時間，這是采用大多數(shù)轉換器都做不到的。該降壓比通常將要求工程師選擇一款兩級轉換器（具有一個中間電壓），但是，LT8645S和LT8646S單片式穩(wěn)壓器則皆能單獨完成此轉換，從而降低了電源尺寸和復雜性。
圖6示出了一款用于達30V之輸入的1.8V/8A輸出解決方案，其采用了工作在1MHz開關頻率的LT8645S。如果跳過某些開關周期是可以接受的，那么輸入可升高至65V的絕對最大額定值。當輸出低于3.1V時，LT8645S的BIAS引腳可連接至一個高于3.1V（即3.3V或5V）的外部電源，以改善效率。
圖6.穿越65V輸入瞬變過程運行的LT8645S1MHz1.8V/8A應用電路。
LT8645S和LT8646S8A同步超低EMI單片式開關穩(wěn)壓器可提供小型6mmx4mmLQFN封裝。其獲專利的SilentSwitcher2架構可實現(xiàn)相當?shù)偷腅MI輻射、高效率和緊湊的解決方案占板面積。輸入可以高達65V。40ns的最短導通時間提供高降壓比，實現(xiàn)了直接低電壓輸出，不需要兩級轉換。
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