【導(dǎo)讀】經(jīng)常接觸陶瓷電容就會有個疑問，為什么電容器變薄了，靜電容量卻反而增加了呢？這似乎與我們平常理解的體積越大，容量就越大的常識不符。陶瓷電容器的小身材到底隱藏了哪些秘密呢？本文為你揭曉答案。
電容器變薄但靜電容量卻反而增加的理由
根據(jù)數(shù)學表達式C=ε×S/d，增大電容器靜電容量的方法有如下3種：
①增大ε（介電常數(shù)）
②增大S （電極面積）
③減小d （電介質(zhì)厚度）
關(guān)于此處的①②，很容易形象直觀地進行想象，但是關(guān)于③卻相反，總覺得厚的電介質(zhì)能夠積聚很多的電荷，
但事實并非如此。這是因為電荷是積聚在兩個電極上的，而不是積聚在電介質(zhì)中。
首先，我將在使大家了解上述要點的基礎(chǔ)上對如何推導(dǎo)出計算公式進行說明。以下，我將羅列枯燥無味的數(shù)學公式，敬請諒解。
推導(dǎo)C=ε×S/d
圖1 平板電容器
如圖1所示，在電極之間的空間兩端加上電壓的情況下，所產(chǎn)生的電場強度為E[V/m]，電壓為V[V]，電極間距離為d[m]，并得出式(1)。
E=V/d [V/m] ???(1)
雖然該電場是因來自電源的電荷而產(chǎn)生的，但是如果通過電力線來描述該電場，根據(jù)高斯定理，Q/ε[根]的電力線從+Q[C]的電荷處出發(fā)，那么在圖1中，Q/ε[根]的電力線從電極A出發(fā)，然后到達電極B。
因為電力線密度與電場強度是相同的，所以如果將電極的面積設(shè)為S[m2]，那么數(shù)學表達式(2)的關(guān)系成立。
V/d=(Q/ε)/S ???(2)
如果對從電源進入的電荷Q進行整理，那么得出數(shù)學表達式（3）。
Q=ε×SV/d [C] ???(3)
通過數(shù)學表達式（3）可以看出，因為電荷Q與外加電壓是成正比的，所以電容器的性能通過單位外加電壓所積聚的電荷量進行體現(xiàn)比較好，如果將靜電容量設(shè)為C[F]，那么以下數(shù)學表達式成立。
C=Q/V [C/V=F] ???(4)
因為從這個數(shù)學表達式可以看出靜電容量C和電荷Q是成正比的，所以對于增大靜電容量來說，圖1的電極A和B所積聚的電荷Q越大越好。
那么，該如何增大電荷Q呢？通過數(shù)學表達式（3），可以看出電荷Q與電極間距離d是成反比的。也就是說，電極間距離越小，電荷Q就越大。
簡單對以上的內(nèi)容進行歸納，即電極間距離d越小，電極A和B所積聚的電荷Q就越大，因為增大了積聚的電荷Q，所以靜電容量C也就變大。這樣理解的話，我想大家是否就有稍許的直觀感受了。
通過數(shù)學表達式（3）和（4），可以推導(dǎo)出類似的表達式（5）。我們可以通過數(shù)學表達式得出結(jié)論：電極間距離d越小，靜電容量C就越大。
那么即可得出下面的結(jié)論。
C=ε×S/d [F] ???(5)
