產(chǎn)品特性：
- 集成了OVP、P溝道MOSFET、晶體管和功率MOSFET
- 3.0 mm x 4.0 mm x 0.9 mm QFN-22無鉛小封裝
- 極低的功率耗散和發(fā)熱量，延長了壽命
- 設(shè)計用于處理大浪涌峰值電流
- 過壓關(guān)閉時間短于1.0微秒
應(yīng)用范圍：
- 手機、便攜式媒體播放器(PMP)
- 移動互聯(lián)網(wǎng)設(shè)備(MID)
安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor)推出NUS6189新器件，將過壓保護(OVP)電路的性能和功能、30 V P溝道功率MOSFET、低飽和電壓(VCE(sat))晶體管和低導(dǎo)通阻抗(Rds(on))功率MOSFET集成到節(jié)省空間的一個3.0 mm x 4.0 mm x 0.9 mm封裝之中。NUS6189設(shè)計用于保護敏感電子電路免受過壓瞬態(tài)和電源故障影響。這器件經(jīng)過優(yōu)化，應(yīng)用于使用外部交流-直流(AC-DC)適配器或車載充電器，如手機、便攜式媒體播放器(PMP)和移動互聯(lián)網(wǎng)設(shè)備(MID)。
NUS6189將保護便攜設(shè)備通常需要的四種不同器件功能集成至單顆集成電路(IC)中，減少所需印制電路板(PCB)空間多達40%。此外，這器件的集成設(shè)計提供極低的功率耗散，大幅減少發(fā)熱量，并延長電池使用時間。NUS6189特別設(shè)計用于處理大浪涌峰值電流，與設(shè)計用于下一代便攜設(shè)備的安森美半導(dǎo)體電源管理IC及領(lǐng)先的碼分多址(CDMA)芯片組相輔相成。這器件的過壓關(guān)閉時間短于1.0微秒(µs)，在故障發(fā)生時會極快地斷開輸入電源與負載之間的連接，因此它比現(xiàn)有關(guān)閉較慢的解決方案能提供更優(yōu)異的保護性能。
安森美半導(dǎo)體數(shù)字及消費產(chǎn)品部副總裁兼總經(jīng)理Manor Narayanan說：“安森美半導(dǎo)體持續(xù)領(lǐng)先業(yè)界，提供采用更小、更薄封裝的創(chuàng)新高能效解決方案，不僅滿足下一代應(yīng)用的尺寸要求，還提供客戶所需求的性能。我們與客戶密切合作，了解他們的需要，并會持續(xù)開發(fā)針對這些應(yīng)用的解決方案，幫助客戶保持競爭優(yōu)勢。”
NUS6189是安森美半導(dǎo)體針對便攜設(shè)備四個常見主要子系統(tǒng)的產(chǎn)品陣容中重要的新成員。這器件尤其解決了互連子系統(tǒng)內(nèi)的挑戰(zhàn)性要求。除了互連子系統(tǒng)，安森美半導(dǎo)體還提供手持便攜設(shè)備中的顯示及背光、電源管理和音/視頻等其它三個主要子系統(tǒng)的解決方案。
封裝和價格
NUS6189采用低厚度的3.0 mm x 4.0 mm x 0.9 mm QFN-22無鉛封裝。每1,000顆批量的預(yù)算單價為0.55美元。
