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深度解讀放大器的輸出限制設(shè)計(jì)
這篇博文是關(guān)于非射頻(RF)與射頻放大器規(guī)格對(duì)比系列博文。對(duì)于任何應(yīng)用中的放大器,輸出電壓的擺動(dòng)范圍以及可供給負(fù)載的電流量都有一個(gè)限制。這些限制基本上由裝置電源電壓、輸出級(jí)架構(gòu)和工藝技術(shù)限制設(shè)置。大多數(shù)線性放大器包括一個(gè)闡述支持的最大和最小輸出電壓和最大電流的規(guī)范。
2018-06-07
放大器 射頻放大器
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倍捷連接器CEO:七十二載家族之路,進(jìn)軍亞洲再放異彩
倍捷連接器董事長兼首席執(zhí)行官Steven Fisher先生近日來到公司位于中國珠海的工廠,這是他本人在2015年參加工廠開業(yè)儀式后,第二次來華,在短短的三年時(shí)間內(nèi),珠海工廠已經(jīng)達(dá)到了收支平衡,倍捷連接器獨(dú)特的分銷及組裝模式受到了中國本地客戶的認(rèn)可。
2018-06-07
倍捷連接器
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究竟如何選擇高電流、高精度、低噪音低壓降穩(wěn)壓器?
在亞洲生活和工作讓我遇到了很多有趣的支持問題。例如,最近有人問我TI有沒有針對(duì)低壓降控制器的跨設(shè)備。該控制器位于小外形晶體管(SOT)-236封裝內(nèi),該封裝在印刷電路板(PCB)上所占面積為3mm×3mm。圖1所示為所推薦的控制器原理圖。
2018-06-06
TPS7A85 低壓降控制器
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評(píng)估測量高速GaN晶體管的技術(shù)
本文專注于如何基于用戶的要求及測量技術(shù),利用測量設(shè)備來準(zhǔn)確地評(píng)估高性能的氮化鎵晶體管。此外,本文評(píng)估高帶寬差分探頭與不接地參考波形一起使用時(shí)的情況。
2018-06-06
測試測量 高速GaN 晶體管
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Analog Devices 實(shí)現(xiàn)了工業(yè)自動(dòng)化轉(zhuǎn)型
過去幾年中,工業(yè)設(shè)施已著手提高其制造流程的效率。利用現(xiàn)有技術(shù),工業(yè)的自動(dòng)化程度、精度水平和處理數(shù)據(jù)量均有所提高。所有這些都在迅速地讓制造商更加接近實(shí)現(xiàn)工業(yè) 4.0 所能提供的好處,包括更高的安全性、可靠性和生產(chǎn)率,同時(shí)還能降低嚴(yán)苛工業(yè)制程給環(huán)境帶來的影響。
2018-06-05
ADI 工業(yè)自動(dòng)化 工業(yè)4.0
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【原創(chuàng)】2018年藍(lán)牙設(shè)備出貨將達(dá)40億,藍(lán)牙Mesh將開啟工業(yè)和商業(yè)應(yīng)用新場景
今年是藍(lán)牙技術(shù)聯(lián)盟成立20周年,受市場需求渠道,藍(lán)牙技術(shù)一直在迅速發(fā)展,近日,2018藍(lán)牙亞洲大會(huì)在深圳舉辦,聚焦商業(yè)與工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用,通過技術(shù)培訓(xùn)和現(xiàn)場展示服務(wù)數(shù)千名開發(fā)者。我愛方案網(wǎng)作為2018藍(lán)牙亞洲大會(huì)的合作伙伴,全程見證了這一精彩的技術(shù)盛宴。
2018-06-01
藍(lán)牙設(shè)備 藍(lán)牙Mesh
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對(duì)電阻使用的經(jīng)驗(yàn)法則說不!
按照許多年前老師的教導(dǎo),我們會(huì)在運(yùn)算放大器的兩個(gè)輸入端放上相等的阻抗。本文探究為什么會(huì)有這么一條經(jīng)驗(yàn)法則,以及我們是否應(yīng)當(dāng)遵循這種做法。
2018-06-01
運(yùn)算放大器 CMOS工藝 電阻
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為慶祝 618 購物節(jié),Digi-Key 推出購物贏好禮活動(dòng)
美國明尼蘇達(dá)州錫夫里弗福爾斯市——為慶祝 618 年中購物節(jié),全球電子元器件分銷商 Digi-Key Electronics 為在其網(wǎng)站上購物的客戶提供購物贏好禮的機(jī)會(huì)。從 5 月 30 日至 6 月 18 日,在 Digi-Key 的中國網(wǎng)站(美元或人民幣)上提交訂單,通過微信發(fā)送訂單詳情,即有機(jī)會(huì)贏取好禮,獎(jiǎng)品共計(jì) 50 份!
2018-05-31
618 購物節(jié) Digi-Key 購物贏好禮 電子元器件
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解讀小器件、大作用,MOS管五大關(guān)鍵點(diǎn)
在一塊濃度較低的P型硅上擴(kuò)散兩個(gè)濃度較高的N型區(qū)作為漏極和源極,半導(dǎo)體表面覆蓋二氧化硅絕緣層并引出一個(gè)電極作為柵極。
2018-05-25
MOS管 N溝道
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