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選擇LDO時(shí)的主要考慮因素和挑戰(zhàn)
低壓差(LDO)穩(wěn)壓器在智能手機(jī)、可穿戴設(shè)備和其他便攜式小型設(shè)備等現(xiàn)代電子產(chǎn)品中發(fā)揮著至關(guān)重要的作用。由于其效率和可靠性，它們?cè)谙到y(tǒng)級(jí)芯片(SoC)架構(gòu)中的集成變得越來越普遍。然而，片上LDO選項(xiàng)和特性種類繁多，使得選擇過程變得十分復(fù)雜。
2024-09-18
LDO
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兩張圖說清楚共射極放大器為什么需要發(fā)射極電阻
共射極（CE）放大器的發(fā)射極電阻是設(shè)定放大器增益的重要組件之一。它通過限制對(duì)放大器級(jí)的負(fù)反饋量來實(shí)現(xiàn)這一功能。簡(jiǎn)而言之，發(fā)射極旁路電容器通過抑制反饋來增加放大器的增益。
2024-09-18
共射極放大器 射極電阻
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授權(quán)代理商貿(mào)澤電子供應(yīng)Toshiba多樣化電子元器件和半導(dǎo)體產(chǎn)品
貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 是Toshiba電子元器件和解決方案的全球授權(quán)代理商。貿(mào)澤有7000多種Toshiba產(chǎn)品開放訂購，其中3000多種有現(xiàn)貨庫存，豐富多樣的Toshiba產(chǎn)品組合可幫助買家和工程師開發(fā)滿足市場(chǎng)需求的產(chǎn)品。
2024-09-18
貿(mào)澤電子 電子元器件 半導(dǎo)體
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使用 PLECSPIL 開發(fā)嵌入式控件
MCU 在電源轉(zhuǎn)換應(yīng)用中起著至關(guān)重要的作用。人們不斷追求使電源轉(zhuǎn)換器更高效、更緊湊、更智能、更便宜，這就需要使用只能以數(shù)字方式執(zhí)行的高度復(fù)雜的控制和信號(hào)處理算法。MCU 通?？梢匀〈鄠€(gè)分立元件，在某些情況下甚至可以消除對(duì)某些傳感器的需求。專用于電源轉(zhuǎn)換應(yīng)用的 MCU 的價(jià)格已經(jīng)下降到即使...
2024-09-17
PLECSPIL 嵌入式控件
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復(fù)雜的RF PCB焊接該如何確保恰到好處？
先進(jìn)的印刷電路板(PCB)非常復(fù)雜，以至于OEM(原始設(shè)備制造商)經(jīng)常會(huì)撓頭，懷疑他們的PCB組裝是否走對(duì)了路。特定的電路板應(yīng)用面臨著許多挑戰(zhàn)，但并非所有組裝廠都具備處理一個(gè)關(guān)鍵領(lǐng)域的能力，那就是射頻(RF)PCB。
2024-09-17
RF PCB焊接
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“環(huán)抱”晶體管與“三明治”布線
今天，我們將介紹英特爾的兩項(xiàng)突破性技術(shù)：RibbonFET全環(huán)繞柵極晶體管和PowerVia背面供電技術(shù)。這兩項(xiàng)技術(shù)首次成功集成于Intel 20A制程節(jié)點(diǎn)，也將用于Intel 18A。
2024-09-16
晶體管
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MEMS 麥克風(fēng)中 PDM 和 I2S 數(shù)字輸出接口的比較和選擇
本文將詳細(xì)討論脈沖密度調(diào)制 (PDM) 和集成電路內(nèi)置音頻 (I2S) 兩種數(shù)字接口，簡(jiǎn)介它們的獨(dú)特特性以及在系統(tǒng)設(shè)計(jì)時(shí)的優(yōu)缺點(diǎn)。工程師具體選擇哪一種，將取決于對(duì)兩種技術(shù)的研究，并要了解哪種協(xié)議對(duì)于特定應(yīng)用更適合。
2024-09-15
MEMS 麥克風(fēng) PDM I2S 數(shù)字輸出接口
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基于大數(shù)據(jù)與深度學(xué)習(xí)的穿戴式運(yùn)動(dòng)心率算法
在數(shù)字化與智能化技術(shù)迅猛發(fā)展的背景下，智能手表、智能戒指等穿戴式設(shè)備已悄然改變我們的日常生活，尤其在健康管理和運(yùn)動(dòng)表現(xiàn)優(yōu)化方面取得了顯著的成就。借助這些智能設(shè)備，監(jiān)測(cè)運(yùn)動(dòng)心率成為提升個(gè)人健身和運(yùn)動(dòng)性能的關(guān)鍵手段。
2024-09-15
大數(shù)據(jù) 穿戴式 運(yùn)動(dòng)心率算法
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第5講：SiC的晶體缺陷
SiC晶體中存在各種缺陷，對(duì)SiC器件性能有直接的影響。研究清楚各類缺陷的構(gòu)成和生長(zhǎng)機(jī)制非常重要。本文帶你了解SiC的晶體缺陷及其如何影響SiC器件特性。
2024-09-12
SiC 晶體缺陷
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