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邁向更綠色的未來:GaN技術(shù)的變革性影響

發(fā)布時間:2024-12-26 責任編輯:lina

【導讀】過去幾十年間,人口和經(jīng)濟活動的快速增長推動了全球能源消耗的穩(wěn)步增長,并且預(yù)計這一趨勢還將持續(xù)。這種增長是線下與線上活動共同作用的結(jié)果。因此,數(shù)據(jù)中心的快速擴張顯著增加了全球電力需求。據(jù)估計,2022年全球數(shù)據(jù)中心耗電量約為240-340太瓦時(TWh)。近年來,全球數(shù)據(jù)中心的能源消耗以每年20-40%的速度持續(xù)增長[1]。


過去幾十年間,人口和經(jīng)濟活動的快速增長推動了全球能源消耗的穩(wěn)步增長,并且預(yù)計這一趨勢還將持續(xù)。這種增長是線下與線上活動共同作用的結(jié)果。因此,數(shù)據(jù)中心的快速擴張顯著增加了全球電力需求。據(jù)估計,2022年全球數(shù)據(jù)中心耗電量約為240-340太瓦時(TWh)。近年來,全球數(shù)據(jù)中心的能源消耗以每年20-40%的速度持續(xù)增長[1]。


邁向更綠色的未來:GaN技術(shù)的變革性影響圖1:1910年以來全球二氧化碳排放量(單位:千兆噸):總量(左);按行業(yè)劃分(右)

隨著能源消耗的增加,相關(guān)的二氧化碳排放量也在2022年達到創(chuàng)紀錄的37千兆噸。為應(yīng)對這一問題,國際能源署(IEA)提出了一項全球戰(zhàn)略,制定了到2030年必須實現(xiàn)的關(guān)鍵行動目標,旨在扭轉(zhuǎn)排放曲線,并將能源行業(yè)加入到使全球變暖控制在1.5°C的隊伍當中[2]。這些將在2030年實現(xiàn)的目標如下:

? 全球可再生能源裝機容量增加三倍:達到11,000 吉瓦
? 能源效率提高速度加快一倍:至每年4%
? 提高終端用戶的電氣化程度:例如電動汽車、熱泵
? 將化石燃料產(chǎn)生的甲烷排放量減少75%
? 將化石燃料的使用量減少25%

為了實現(xiàn)這些目標,我們必須找到解決方案,以便在電力全鏈條(發(fā)電、輸電、儲電和用電)的各個環(huán)節(jié)實現(xiàn)更智能、更高效的能源管理。而功率半導體技術(shù)則是這一鏈條各環(huán)節(jié)的核心所在。


邁向更綠色的未來:GaN技術(shù)的變革性影響圖2:電力鏈—— 從配電到用電

電氣化

在低碳化方面,推動過去占主導地位的化石燃料領(lǐng)域電氣化,是減少二氧化碳排放的關(guān)鍵。近幾十年來,電力在全球最終能源消費中的占比穩(wěn)步上升,現(xiàn)已達到20%。未來幾年,這一比例將加速增長。在國際能源署的既定政策(STEPS)情景中,到2050年,電力在全球最終能源消費中的占比預(yù)計將達到30%,而在“凈零排放(NZE)”情景中,該比例將達到53%[2]。

清潔發(fā)電

如今,可再生能源發(fā)電約占全球電力生產(chǎn)的30%。在STEPS情景中,這一比例預(yù)計將提高到70%,在NZE情景中,將提高到89%[2]。近年來,低碳化的努力已經(jīng)初顯成效——在過去15年,可再生能源已從最昂貴的能源變?yōu)樽罱?jīng)濟的選擇[3]。


邁向更綠色的未來:GaN技術(shù)的變革性影響圖3:可再生能源成本逐步下降

CoolGaNTM技術(shù):以能效為核心

在利用可再生能源進行清潔發(fā)電的同時,提升能效同樣是實現(xiàn)低碳化目標的關(guān)鍵。這不僅需要設(shè)計出耗電量盡可能低的智能高效系統(tǒng),還需要最大限度地減少這些系統(tǒng)中每一個功率轉(zhuǎn)換環(huán)節(jié)的損耗。其中,后一個挑戰(zhàn)是本文討論的重點。在過去幾十年中,硅(Si)基功率半導體成功解決了這一難題。然而,近年來功率半導體技術(shù)的進步,催生了碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)等寬禁帶材料(WBG)技術(shù),它們?yōu)槎喾N應(yīng)用提供了獨特而又顯著的效率提升和功率密度優(yōu)勢。

圖4展示了硅、SiC和GaN這三種功率半導體技術(shù)的共存關(guān)系。盡管硅基技術(shù)仍是眾多應(yīng)用的主流選擇,但SiC技術(shù)在需要使用400 V-3.3 kV器件的諸多應(yīng)用中,與前者互為補充,能夠提供更好的散熱性能、更高的可靠性和更為緊湊的解決方案。GaN技術(shù)在40 V-750 V的低壓范圍內(nèi),與硅基技術(shù)競爭激烈,特別是在高開關(guān)頻率和較低的功率下,優(yōu)勢更為明顯。


邁向更綠色的未來:GaN技術(shù)的變革性影響圖4:Si、SiC和GaN的輸出功率與開關(guān)頻率


再回到電氣化的話題,尤其是建筑、工業(yè)和交通領(lǐng)域?qū)﹄娏Φ男枨?。在STEPS情景中,到2050年,建筑行業(yè)仍然是用電量最大的領(lǐng)域,原因是對家用電器、制冷與供暖,以及熱水的需求持續(xù)增長;工業(yè)領(lǐng)域仍然是第二大用電行業(yè),其中電動機占比較大。在STEPS情景中,到2050年,電動汽車預(yù)計將占總用電需求增幅的15%左右,這是因為電動汽車銷量將加速增長,成為用電需求增長的主要驅(qū)動因素。

那么,該如何實現(xiàn)具有性價比的發(fā)電鏈效率提升呢?

眾所周知,星巴克在運營中注重效率提升,力求消除生產(chǎn)過程中每一秒不必要的浪費[4]。同樣,技術(shù)解決方案也應(yīng)該專注于在設(shè)計中提升每一個百分點的效率。寬禁帶半導體器件(特別是GaN)在這一領(lǐng)域?qū)⒋笥锌蔀?。目前,GaN技術(shù)的一個典型應(yīng)用是,提升智能手機和筆記本電腦的充電器效率和功率密度,人們普遍認為“GaN充電器”比非GaN充電器更新、更小、功率更高。然而,這只是GaN市場潛力的冰山一角。根據(jù)市場研究公司Yole Development的2023年GaN報告,2023年至2029年間,GaN技術(shù)的累計潛在市場規(guī)模達到60億美元,包括服務(wù)器、太陽能、電動汽車車載充電器和電機驅(qū)動裝置等多個領(lǐng)域也正在加速向這項創(chuàng)新技術(shù)轉(zhuǎn)型[5]。



邁向更綠色的未來:GaN技術(shù)的變革性影響圖5:截至2028年的GaN市場規(guī)模預(yù)測

在GaN市場,英飛凌憑借豐富的分立式和集成式解決方案,以及匹配的控制器和驅(qū)動器產(chǎn)品組合,取得了顯著進展。英飛凌的CoolGaNTM產(chǎn)品線在奧地利菲拉赫和馬來西亞居林的兩座200毫米晶圓廠投產(chǎn),并與代工合作伙伴密切協(xié)作,甚至率先開發(fā)全球首項300毫米GaN功率半導體技術(shù)。

雖然高壓GaN開關(guān)(通常在600 V至900 V之間)廣泛應(yīng)用于PSU電源和高壓電機驅(qū)動裝置等AC-DC領(lǐng)域,但英飛凌最新推出的中壓(MV) CoolGaNTM產(chǎn)品組合正在眾多其他消費類和工業(yè)應(yīng)用中嶄露頭角。這些產(chǎn)品的電壓范圍為40 V至200 V,基于肖特基柵極技術(shù),與相同電壓等級的最佳硅基溝槽器件相比,具備更優(yōu)異的性能指標(FOM)。



邁向更綠色的未來:GaN技術(shù)的變革性影響
邁向更綠色的未來:GaN技術(shù)的變革性影響
CoolGaNTM氮化鎵功率開關(guān)器件的優(yōu)異FOM提升了多種應(yīng)用的性能,并降低了系統(tǒng)成本,其中包括獨立DC-DC穩(wěn)壓器、太陽能逆變器、D類音頻放大器、低壓電機驅(qū)動裝置、服務(wù)器/電信IBC和LiDAR。

60 V-200 V CoolGaNTM晶體管產(chǎn)品采用3x3和3x5 PQFN(TSON)封裝,使用高性能且經(jīng)濟高效的引線框技術(shù),并列排放多個漏極/源極/柵極端子。由于GaN器件具有水平結(jié)構(gòu),所有三個端子(柵極、漏極和源極)都位于芯片的同一側(cè),并通過交錯式拓撲結(jié)構(gòu)引出。這種設(shè)計最大限度地降低了封裝的寄生效應(yīng)(電阻和電感),并通過優(yōu)化的熱連接路徑,直接冷卻CoolGaNTM電流通道。

這三款40 V CoolGaNTM器件是GaN在硅基技術(shù)的基礎(chǔ)上做出的進一步改進,是一種雙向開關(guān)(BDS),在導通時支持雙向電流流動,在關(guān)斷時提供雙向電流電壓阻斷。再次得益于GaN技術(shù)的水平結(jié)構(gòu),這些器件共享一個公共源極區(qū)域,并配備兩個漏極,在尺寸和成本上優(yōu)于背對背硅基開關(guān)器件!


邁向更綠色的未來:GaN技術(shù)的變革性影響圖6:CoolGaNTM  BDS與背對背硅基MOSFET相比更節(jié)省空間


結(jié)論

隨著能源消耗的持續(xù)增長,以及對可持續(xù)發(fā)展的需求,我們需要打造出好的設(shè)計、器件和系統(tǒng),以最大限度地減少能源浪費。

正如文中所述,盡管2030年邁向綠色未來的目標是可以實現(xiàn)的,但這要求在電力鏈中每一個環(huán)節(jié)都高度關(guān)注能源效率的提升。對此,GaN技術(shù)展現(xiàn)了在構(gòu)建高效電力電子系統(tǒng)方面的巨大潛能,英飛凌的CoolGaNTM等創(chuàng)新產(chǎn)品可以在不增加物料清單(BOM)成本的前提下,減少重新設(shè)計的工作量。



參考文獻

1 IEA: Data Centres and Data Transmission Networks; https://www.iea.org/energy-system/buildings/data-centres-and-data-transmission-networks
2 IEA: World Energy Outlook 2023; IEA; Paris; https://www.iea.org/reports/world-energy-outlook-2023
3 Lazard: 2023 Levelized Cost Of Energy+; https://www.lazard.com/research-insights/2023-levelized-cost-of-energyplus/
4 Starbucks Corporation: Recipe for reinvention: Starbucks unveils innovations for better customer, barista experiences; https://stories.starbucks.com/stories/2022/recipe-for-reinvention-starbucks-unveils-innovations-for-better-customer-barista-experiences/
5 Yole Group: Power SiC and GaN maintain their growth trajectories toward beyond $10B and $2.25B, respectively, in 2029 despite the headwind from the global economy in the short term; https://www.yolegroup.com/product/monitor/power-sicgan-compound-semiconductor-market-monitor/

(來源:德州儀器,校對:宋清亮 英飛凌科技消費、計算與通訊業(yè)務(wù)大中華區(qū)高級首席工程師)


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