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微波功率半導(dǎo)體器件的新進(jìn)展和新應(yīng)用
中國電科集團(tuán)南京電子器件研究所，單片集成電路與模塊國家級重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室邵凱先生對于微波功率半導(dǎo)體器件的進(jìn)展和應(yīng)用進(jìn)行了介紹。微波功率半導(dǎo)體器件目前擁有每年20億美元的全球市場，在很多應(yīng)用中它是不可缺少的非常重要的一類半導(dǎo)體器件
2009-08-26
半導(dǎo)體分立器件年會 微波功率半導(dǎo)體器件
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2014年美國電信市場規(guī)模有望達(dá)到4060億美元
據(jù) Light Reading Communications Network 旗下電信調(diào)研機(jī)構(gòu) Pyramid Research 發(fā)表的最新報告顯示，隨著移動數(shù)據(jù)營收在預(yù)測期內(nèi)將上升至940億美元，并超過固定語音（公共電話網(wǎng) (PSTN) + 網(wǎng)絡(luò)電話 (VoIP)）業(yè)務(wù)，到2014年，美國通信市場規(guī)模將達(dá)到4060億美元
2009-08-26
Pyramid Research 美國電信市 2014年
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全球經(jīng)濟(jì)及半導(dǎo)體業(yè)正在走向常態(tài) 陰霾中已初露陽光
ICInsight總裁Bill McClean說，今年全球GDP可能為負(fù)0.8%，是1946年以來最差的一年，那時候由于受二次世界大戰(zhàn)的影響,大部分工廠都停產(chǎn)，但是全球經(jīng)濟(jì)仍有不到2.5%的增長
2009-08-26
半導(dǎo)體行業(yè) ICInsight Bill McClean 硅谷午餐會
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航天電器承擔(dān)的國家軍用標(biāo)準(zhǔn)和航天行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)通過終審
近日，受國家國防科工局委托，由航天科工集團(tuán)公司組織召開了航天電器承擔(dān)修訂的國家軍用標(biāo)準(zhǔn)《恒溫繼電器通用規(guī)范》和編制的航天行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)《機(jī)械式加速度過載開關(guān)通用規(guī)范》的終審會
2009-08-26
航天電器 軍用航天
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WiMAX的中國路：甘當(dāng)配角才會長久？
繼今年4月我國臺灣地區(qū)開通 WiMAX服務(wù)之后,最近又有消息稱,大陸將引入臺灣地區(qū)電信運(yùn)營商的WiMAX試驗(yàn)網(wǎng),由工信部與地方政府共同選擇兩三個城市來進(jìn)行試點(diǎn),此項(xiàng)工作有望在8月底展開
2009-08-26
WiMAX 3G
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二季度國產(chǎn)平板電視銷售量、額壓倒國外品牌
據(jù)奧維咨詢公司的統(tǒng)計數(shù)據(jù)顯示，2009年第二季度，國產(chǎn)品牌在平板電視市場中的零售量和零售額占有率分別達(dá)到76%和53%，而日韓品牌的業(yè)績則明顯下滑，調(diào)查稱以往外資品牌占據(jù)國內(nèi)液晶電視市場份額優(yōu)勢的格局，在2009年上半年被大逆轉(zhuǎn)
2009-08-26
國產(chǎn)平板電視 外國品牌 反超
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半導(dǎo)體分立器件年會：GaN HEMT 微波毫米波處于科研向工程化轉(zhuǎn)化時期
8月20日，深圳，由中國半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會主辦，分立器件分會、華強(qiáng)電子網(wǎng)等聯(lián)合承辦的“2009中國半導(dǎo)體分立器件市場年會”上，中國電子科技集團(tuán)公司趙正平副總經(jīng)理對GaN HEMT 微波毫米波器件與電路的新進(jìn)展情況進(jìn)行了分析
2009-08-26
微波毫米波 半導(dǎo)體 分立器件年會
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半導(dǎo)體分立器件年會：上半年分立器件價格指數(shù)回升
8月20日，由中國半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會主辦、華強(qiáng)電子網(wǎng)承辦“2009中國半導(dǎo)體分立器件市場年會”上，深圳市華強(qiáng)北電子市場價格指數(shù)有限公司發(fā)布了2009上半年分立器件價格指數(shù)的最新信息
2009-08-26
分立器件 價格指數(shù) 市場年會
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SiE876DF：Vishay導(dǎo)通電阻最低的60V TrenchFET功率MOSFET
日前，Vishay宣布推出采用雙面冷卻、導(dǎo)通電阻最低的60V器件 --- SiE876DF。新的SiE876DF采用SO-8尺寸的PolarPAK封裝，在10V柵極驅(qū)動下的最大導(dǎo)通電阻為6.1Ω，比市場上可供比較的最接近器件減小了13%。
2009-08-26
SiE876DF MOSFET Vishay
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