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電磁干擾的屏蔽方法
EMC問題常常是制約中國電子產(chǎn)品出口的一個原因，本文主要論述EMI的來源及一些非常具體的抑制方法，例如設計屏蔽罩。
2011-12-20
電磁干擾 EMI EMC 電磁兼容 屏蔽
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電子信息產(chǎn)業(yè)：競爭壓力巨大 缺乏新增長點
2011年我國電子信息產(chǎn)業(yè)的整體發(fā)展情況可以表述為“持續(xù)平穩(wěn)增長”與“亟待轉(zhuǎn)型升級”。展望2012年，我國電子信息產(chǎn)業(yè)面臨著復雜多變的國內(nèi)外形勢，既有基礎行業(yè)快速增長、國內(nèi)信息化建設全面深化、產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)移及布局優(yōu)化調(diào)整積極效應開始顯現(xiàn)等有利因素，又有國際市場需求持續(xù)疲軟、產(chǎn)業(yè)競爭程度不斷加劇...
2011-12-14
電子信息產(chǎn)業(yè) 電子信息 電子
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常用信號完整性的測試手段和在設計的應用
信號完整性設計在產(chǎn)品開發(fā)中越來越受到重視，而信號完整性的測試手段種類繁多，有頻域，也有時域的，還有一些綜合性的手段，比如誤碼測試。本文對各種測試手段進行介紹，并結(jié)合實際硬件開發(fā)活動說明如何選用，最后給出了一個測試實例。
2011-12-09
信號完整性 測試
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影響電阻或電阻率測試的主要因素
本文介紹影響電阻或電阻率測試的五大主要因素，包括：環(huán)境溫濕度、測試電壓（電場強度）、測試時間、測試設備的泄漏和外界的干擾。
2011-12-09
電阻 電阻率 測試
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HTRN系列：Vishay推出高性能薄膜電阻網(wǎng)絡用于發(fā)動機控制及工業(yè)應用
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新系列可在-55℃～+215℃寬溫條件下工作的雙通道薄膜電阻網(wǎng)絡---HTRN系列。該系列電阻網(wǎng)絡的工作溫度范圍比傳統(tǒng)薄膜片式電阻擴大了近100℃，絕對TCR低至±25ppm/℃，TCR跟蹤為5ppm/℃，以及±0.05%的嚴格比例容差。
2011-12-09
HTRN Vishay 電阻 薄膜電阻
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高速數(shù)據(jù)應用中 ESD 抑制技術簡介【空氣間隙技術】
高清電視及顯示器的發(fā)展加速提高了信號傳輸速率,除此之外，USB 2.0以及USB 3.0等高速串行協(xié)議的應用也使信號速率在不斷提高。隨著信號速率的提高，以前傳統(tǒng)的ESD保護技術已顯得過時，多層壓敏電阻、硅二極管的高電容、漏電流以及鉗位電壓已經(jīng)不能提供準確可靠的保護，以保證高速信號不發(fā)生明顯的信...
2011-12-06
高速數(shù)據(jù) ESD 抑制 空氣間隙
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ADIS16488：ADI推出戰(zhàn)術級10自由度MEMS IMU用于軍用和醫(yī)療設備
Analog Devices, Inc. (ADI)，全球領先的高性能信號處理解決方案供應商，最近正式全面推出第三代iSensor? MEMS IMU（慣性測量單元）ADIS16488，這是一款戰(zhàn)術級10自由度(DoF)傳感器，在單封裝中集成一個三軸陀螺儀、一個三軸加速度計、一個三軸磁力計和一個壓力傳感器。新款MEMS IMU提供最穩(wěn)定、最完...
2011-12-05
ADI MEMS ADIS16488 IMU 傳感器 陀螺儀
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飛思卡爾i.MX53應用處理器等多款產(chǎn)品贏得EDN China年度創(chuàng)新獎
飛思卡爾半導體日前宣布其包括i.MX53在內(nèi)的多款產(chǎn)品榮膺《電子設計技術》（EDN China）雜志2011年度創(chuàng)新獎。其中，i.MX53高性能應用微處理器榮獲應用微處理器類別最佳產(chǎn)品獎；同時，來自飛思卡爾的其它四款產(chǎn)品分別在相關類別獲得優(yōu)秀產(chǎn)品獎，包括面向工業(yè)和網(wǎng)絡應用的入門級通信處理器MPC8309、MM9...
2011-12-02
飛思卡爾 i.MX53 EDN China
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信號完整性的電路板設計準則
信號完整性(SI)問題解決得越早，設計的效率就越高，從而可避免在電路板設計完成之后才增加端接器件。SI設計規(guī)劃的工具和資源不少，本文探索信號完整性的核心議題以及解決SI問題的幾種方法，在此忽略設計過程的技術細節(jié)。
2011-12-02
信號完整性 SI 電路板 PCB
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