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CMOS成像技術(shù)讓照相功能大顯身手
CMOS傳感器因具有低功耗、體積小、運(yùn)行速度快等優(yōu)點(diǎn)而迅速成為新成像技術(shù)的發(fā)展方向。CMOS能同時(shí)實(shí)現(xiàn)攝像頭的拍照和視頻功能，使得移動(dòng)電話已成為CMOS的最忠實(shí)擁護(hù)者。CMOS成像技術(shù)能實(shí)現(xiàn)更安全、更智能的駕駛，CMOS也將朝著安保與監(jiān)控領(lǐng)域發(fā)展。
2008-09-28
CMOS 傳感器 攝像頭 成像技術(shù)
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安森美全套LED電源解決方案
相對(duì)于傳統(tǒng)光源，LED具有諸多優(yōu)勢(shì)，其應(yīng)用領(lǐng)域也在不斷擴(kuò)展。不同的LED應(yīng)用對(duì)電源提出了不同的要求，本文介紹了安森美半導(dǎo)體針對(duì)LED應(yīng)用的電源解決方案。
2008-09-27
LED照明 LED背光 NCP1013 NCP1351 NCP5005
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帶微處理器的繼電器將會(huì)迅速發(fā)展
隨著微型和片式化技術(shù)的提高。繼電器將向二維、三維尺寸只有幾毫米的微型和表面貼裝化方向發(fā)展；現(xiàn)在國(guó)際上有些廠家生產(chǎn)的繼電器，體積只有5～10年前的1/4～1/8。因?yàn)殡娮诱麢C(jī)在減小體積時(shí)，需要高度不超過(guò)其它電子元件的更小的繼電器。
2008-09-26
繼電器
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帶微處理器的繼電器將會(huì)迅速發(fā)展
隨著微型和片式化技術(shù)的提高。繼電器將向二維、三維尺寸只有幾毫米的微型和表面貼裝化方向發(fā)展；現(xiàn)在國(guó)際上有些廠家生產(chǎn)的繼電器，體積只有5～10年前的1/4～1/8。因?yàn)殡娮诱麢C(jī)在減小體積時(shí)，需要高度不超過(guò)其它電子元件的更小的繼電器。
2008-09-24
繼電器
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南方芯源推出全系列外延片快恢復(fù)二極管
南方芯源(Samwin)推出全系列外延片快恢復(fù)二極管。此系列FRED使用外延片做基片，相對(duì)于雙擴(kuò)片做基片的產(chǎn)品，一致性更好，耐壓性能更好，產(chǎn)品體現(xiàn)出快的恢復(fù)時(shí)間，目前已在UPS及HID行業(yè)廣泛應(yīng)用。
2008-09-23
外延片快恢復(fù)二極管 FRED UPS HID
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影響中國(guó)電子信息產(chǎn)業(yè)國(guó)際競(jìng)爭(zhēng)力的矛盾
目前，中國(guó)電子信息產(chǎn)業(yè)發(fā)展中的主要矛盾依然突出，成為影響產(chǎn)業(yè)快速發(fā)展的絆腳石，制約了國(guó)際競(jìng)爭(zhēng)力的進(jìn)一步提升。
2008-09-22
電子信息產(chǎn)業(yè)
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08年加速度傳感器市場(chǎng) 達(dá)到2億7450萬(wàn)個(gè)
矢野經(jīng)濟(jì)研究所預(yù)測(cè)2008年度消費(fèi)類(lèi)加速度傳感器市場(chǎng)將比上年增長(zhǎng)30.8％，達(dá)到2億7450萬(wàn)個(gè)。車(chē)載用加速度傳感器將比上年增長(zhǎng)12.2%，達(dá)到2億8230萬(wàn)個(gè)。這樣，消費(fèi)類(lèi)加速度傳感器和車(chē)載用加速度傳感器的個(gè)數(shù)將接近同等規(guī)模。另一方面，預(yù)計(jì)角速度傳感器（陀螺儀）與消費(fèi)類(lèi)傳感器、車(chē)載用傳感器合計(jì)將比...
2008-09-19
加速度傳感器 角速度傳感器
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微特電機(jī) 變生產(chǎn)大國(guó)為技術(shù)強(qiáng)國(guó)
近幾年，我國(guó)微特電機(jī)行業(yè)有了長(zhǎng)足的發(fā)展，尤其在長(zhǎng)江三角洲、珠江三角洲、環(huán)渤海三大地區(qū)已經(jīng)形成我國(guó)微特電機(jī)的重要生產(chǎn)基地和出口基地。我國(guó)已經(jīng)成為世界微特電機(jī)的生產(chǎn)大國(guó)。
2008-09-18
微特電機(jī)
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VPR221Z/SZ ：Vishay 新型超高精度Z箔電阻
Vishay宣布推出新型 VPR221Z超高精度 Z 箔電阻。此新器件可提供 ±0.05ppm/°C及 ±0.2 ppm/°C的工業(yè)級(jí)別絕對(duì) TCR、在 +25°C 時(shí)最多 8W 的額定功率、±4ppm/W （典型值）的優(yōu)越功率系數(shù)（“自身散熱產(chǎn)生的 ?R”）及 ±0.01% 的容差。
2008-09-17
電阻 VPR221Z VPR221SZ
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