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尼得科與瑞薩合作開發(fā)新一代電動汽車用電驅(qū)系統(tǒng)E-Axle的半導(dǎo)體解決方案
尼得科株式會社(以下簡稱“尼得科”)瑞薩電子株式會社(以下簡稱“瑞薩電子”)已達(dá)成共識,將合作開發(fā)應(yīng)用于新一代E-Axle(X-in-1系統(tǒng))的半導(dǎo)體解決方案,該新一代E-Axle系統(tǒng)集成了電動汽車(EV)的驅(qū)動電機(jī)和功率電子器件。
2023-06-06
尼得科 瑞薩 電驅(qū)系統(tǒng)
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瑞薩電子攜多款先進(jìn)解決方案亮相2023上海國際嵌入式展
全球半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商瑞薩電子(TSE:6723)今日宣布,將攜多款面向汽車電子、工業(yè)、物聯(lián)網(wǎng)及基礎(chǔ)設(shè)施等應(yīng)用領(lǐng)域的先進(jìn)解決方案亮相2023上海國際嵌入式展(以下簡稱:ewCN)。本次展會將于2023年6月14日至16日在上海世博展覽館3號館舉行,瑞薩電子展位號:Hall 3,A090。在此次展會上瑞薩電子又...
2023-06-06
瑞薩電子 上海國際嵌入式展
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相較IGBT,SiC如何優(yōu)化混動和電動汽車的能效和性能?
隨著人們對電動汽車 (EV) 和混動汽車 (HEV) 的興趣和市場支持不斷增加,汽車制造商為向不斷擴(kuò)大的客戶群提供優(yōu)質(zhì)產(chǎn)品,競爭日益激烈。由于 EV 的電機(jī)需要高千瓦時電源來驅(qū)動,傳統(tǒng)的 12 V 電池已讓位于 400-450 V DC 數(shù)量級的電池組,成為 EV 和 HEV 的主流電池電壓。
2023-06-06
SiC 混動和電動汽車 能效
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X-FAB率先向市場推出110納米BCD-on-SOI代工解決方案
中國北京,2023年6月2日——全球公認(rèn)的卓越的模擬/混合信號晶圓代工廠X-FAB Silicon Foundries(“X-FAB”)今日宣布,X-FAB成為業(yè)界首家推出110納米BCD-on-SOI解決方案的代工廠,由此加強(qiáng)了其在BCD-on-SOI技術(shù)領(lǐng)域的突出地位。全新XT011 BCD-on-SOI平臺反映了模擬應(yīng)用中對更高數(shù)字集成和處理能力日益增...
2023-06-05
X-FAB BCD-on-SOI 解決方案
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緯湃科技和安森美簽署碳化硅長期供應(yīng)協(xié)議,共同投資于碳化硅擴(kuò)產(chǎn)
2023年6月1日 - 緯湃科技(Vitesco Technologies)和安森美(onsemi)今天宣布了一項價值19億美元(17.5億歐元)的碳化硅產(chǎn)品10年期供應(yīng)協(xié)議,以實現(xiàn)緯湃科技在電氣化技術(shù)方面的提升。緯湃科技是國際領(lǐng)先的現(xiàn)代驅(qū)動技術(shù)和電氣化解決方案制造商,將向安森美提供2.5億美元(2.3億歐元)的投資,用于采...
2023-06-05
緯湃科技 安森美 碳化硅
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MOSFET電路不可不知
MOSFET已成為最常用的三端器件,給電子電路界帶來了一場革命。沒有MOSFET,現(xiàn)在集成電路的設(shè)計似乎是不可能的。
2023-06-05
MOSFET 集成電路
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OBD-II 系統(tǒng)的 ESD 防護(hù)(下)
本文為OBD-II系統(tǒng)ESD保護(hù)系列文章的下篇。在前文《OBD-II系統(tǒng)的ESD防護(hù)(上)》中,我們已詳細(xì)介紹了OBD-II端口及其支持的協(xié)議。
2023-06-01
OBD-II系統(tǒng) ESD防護(hù)
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降低電源紋波噪聲的方法與實例
在應(yīng)用電源模塊常見的問題中,降低負(fù)載端的紋波噪聲是大多數(shù)用戶都關(guān)心的。下文結(jié)合紋波噪聲的波形、測試方式,從電源設(shè)計及外圍電路的角度出發(fā),闡述幾種有效降低輸出紋波噪聲的方法。
2023-06-01
電源紋波 噪聲 方法
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ST中國區(qū)總裁介紹半導(dǎo)體制造戰(zhàn)略:加大第三代半導(dǎo)體垂直整合,與客戶長期雙贏
對于ST而言,芯片設(shè)計和制造同樣重要。ST在制造上的戰(zhàn)略規(guī)劃正在逐步實施,將會幫助其實現(xiàn)200億美元營收和2027碳中和兩大目標(biāo)。而因為芯片制造漫長而又復(fù)雜,所以芯片廠商需要客戶及早分享設(shè)計方案及生產(chǎn)計劃,這樣才能實現(xiàn)長期的雙贏。
2023-05-31
ST 射頻 功率GaN
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