【導(dǎo)讀】今天我們來談一談MOSFET電流額定值，以及它們是如何變得不真實(shí)的。好，也許一個(gè)比較好的解釋就是這些額定值不是用確定RDS(ON) 和柵極電荷等參數(shù)的方法測量出來的，而是被計(jì)算出來的，并且有很多種不同的方法可以獲得這些值。
例如，大多數(shù)部件中都有FET“封裝電流額定值”，這個(gè)值同與周圍環(huán)境無關(guān)，并且是硅芯片與塑料封裝之間內(nèi)在連接線的一個(gè)函數(shù)。超過這個(gè)值不會(huì)立即對FET造成損壞，而在這個(gè)限值以上長時(shí)間使用將開始減少器件的使用壽命。高于這個(gè)限值的故障機(jī)制包括但不限于線路融合、成型復(fù)合材料的熱降解、以及電遷移應(yīng)力所導(dǎo)致的問題。
然后是我們考慮的“芯片限值”，通常通過將外殼溫度保持在25?C來指定?；旧?，這個(gè)條件假定了一個(gè)理想的散熱片，只使用結(jié)至外殼熱阻來計(jì)算器件能夠處理的最大功率（在下面的方程式1和2中顯示）。換句話說，假定RθCase-to-Ambient 為零，這在應(yīng)用中并不是一個(gè)很實(shí)用的條件，這樣的話，最好將這個(gè)電流額定值視為表示器件RDS(ON) 和熱阻抗的品質(zhì)因數(shù)。
下面的圖表1a和1b分別給出了CSD18536KCS和CSD18535KCS 60V TO-220 MOSFET數(shù)據(jù)表首頁上出現(xiàn)的絕對最大額定值表。這兩個(gè)器件的封裝額定值均為200A，不過，由于CSD18536KCS具有更低的RDS(ON) 和熱阻抗，它具有349A的更高芯片限值，這表明，在處理同樣數(shù)量的連續(xù)電流時(shí)，它的運(yùn)行溫度應(yīng)該比CSD18535KCS的工作溫度低。不過，我們還是不建議將這兩款器件長時(shí)間運(yùn)行在電流超過200A的條件下。從FET的角度說，這就意味著任一超過100ms的電流脈沖；超過這個(gè)值的電流脈沖基本上就可以被視為DC脈沖。
圖表1a：CSD18535KCS絕對最大額定值表
圖表1b：CSD18536KCS絕對最大額定值表
某些QFN數(shù)據(jù)表還包括一個(gè)第3連續(xù)電流，計(jì)算方法與芯片限值的計(jì)算方法完全一樣，不過，如表格下方的腳注所示，它是器件測得的RθJA 的函數(shù)。使用RθJA （對于一個(gè)標(biāo)準(zhǔn)的SON5x6封裝來說，典型值為40?C/W）來計(jì)算最大功率的方法假定QFN在應(yīng)用中只處理3W左右的功率。因此，對于未暴露于任何散熱片或使用其它冷卻機(jī)制的QFN器件來說，這個(gè)計(jì)算方法給出了更加實(shí)際的DC電流限值。
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