【導(dǎo)讀】普通硅二極管與肖特基二極管都是單向?qū)щ?，可用于整流場合。區(qū)別是普通硅二極管的耐壓可以做得較高，但是它的恢復(fù)速度低，只能用在低頻的整流上，如果是高頻的就會因?yàn)闊o法快速恢復(fù)而發(fā)生反向漏電，最后導(dǎo)致管子嚴(yán)重發(fā)熱燒毀。
肖特基二極管的耐壓能常較低，但是它的恢復(fù)速度快，可以用在高頻場合，故開關(guān)電源采用此種二極管作為整流輸出用，盡管如此，開關(guān)電源上的整流管溫度還是很高的。
肖特基二極管是以其發(fā)明人肖特基博士(Schottky)命名的，是肖特基勢壘二極管(Schottky Barrier Diode,縮寫成SBD)的簡稱。
和其他的二極管比起來，肖特基二極管有什么特別的呢?
SBD不是利用P型半導(dǎo)體與N型半導(dǎo)體接觸形成PN結(jié)原理制作的，而是利用金屬與半導(dǎo)體接觸形成的金屬-半導(dǎo)體結(jié)原理制作的。因此，SBD也稱為金屬-半導(dǎo)體(接觸)二極管或表面勢壘二極管，它是一種熱載流子二極管。
典型的肖特基整流管的內(nèi)部電路結(jié)構(gòu)是以N型半導(dǎo)體為基片，在上面形成用砷作摻雜劑的N-外延層。陽極使用鉬或鋁等材料制成阻檔層。用二氧化硅(SiO2)來消除邊緣區(qū)域的電場，提高管子的耐壓值。N型基片具有很小的通態(tài)電阻，其摻雜濃度較H-層要高100%倍。在基片下邊形成N+陰極層，其作用是減小陰極的接觸電阻。通過調(diào)整結(jié)構(gòu)參數(shù)，N型基片和陽極金屬之間便形成肖特基勢壘，如圖所示。當(dāng)在肖特基勢壘兩端加上正向偏壓(陽極金屬接電源正極，N型基片接電源負(fù)極)時(shí)，肖特基勢壘層變窄，其內(nèi)阻變小;反之，若在肖特基勢壘兩端加上反向偏壓時(shí)，肖特基勢壘層則變寬，其內(nèi)阻變大。
肖特基整流管僅用一種載流子(電子)輸送電荷，在勢壘外側(cè)無過剩少數(shù)載流子的積累，因此，不存在電荷儲存問題(Qrr→0)，使開關(guān)特性獲得時(shí)顯改善。其反向恢復(fù)時(shí)間已能縮短到10ns以內(nèi)。但它的反向耐壓值較低，一般不超過去時(shí)100V。因此適宜在低壓、大電流情況下工作。利用其低壓降這特點(diǎn)，能提高低壓、大電流整流(或續(xù)流)電路的效率。
利用金屬與半導(dǎo)體接觸形成肖特基勢壘構(gòu)成的微波二極管稱為肖特基勢壘二極管。這種器件對外主要呈現(xiàn)非線性電阻特性是構(gòu)成微波混頻器、檢波器和微波開關(guān)等的核心元件。
結(jié)構(gòu)
肖特基勢壘二極管有兩種管芯結(jié)構(gòu):點(diǎn)接觸型和面結(jié)合型如圖所示。
點(diǎn)接觸型管芯用一根金屬絲壓接在N型半導(dǎo)體外延層表面上形成金半接觸。面結(jié)合型管芯先要在N型半導(dǎo)體外延層表面上生成二氧化硅(SiO2)保護(hù)層,再用光刻的辦法腐蝕出一個(gè)小孔,暴露出N型半導(dǎo)體外延層表面,淀積一層金屬膜(一般采用金屬鉬或鈦,稱為勢壘金屬)形成金半接觸,再蒸鍍或電鍍一層金屬(金、銀等)構(gòu)成電極。
兩種管芯結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體一側(cè)都采用重?fù)诫sN+層作襯底,并在其上形成歐姆接觸的電極。面結(jié)合型管性能要優(yōu)于點(diǎn)接觸管,
主要原因在于:
(1) 點(diǎn)接觸管表面不易清潔，針點(diǎn)壓力會造成半導(dǎo)體表面畸變。其接觸勢壘不是理想的肖特基勢壘受到機(jī)械震動(dòng)時(shí)還會產(chǎn)生顫抖噪聲。面結(jié)合型管金半接觸界面比較平整不暴露而較易清潔其接觸勢壘幾乎是理想的肖特基勢壘。
（2) 不同的點(diǎn)接觸管在生產(chǎn)時(shí)壓接壓力不同
使得肖特基結(jié)的直徑不同。因此性能一致性差可靠性也差。面結(jié)合型管采用平面工藝
因此性能穩(wěn)定,一致性好,不易損壞。圖中給出一種面結(jié)合型二極管的結(jié)構(gòu)圖和等效電路。從中可以看出各部分的結(jié)構(gòu)尺寸量級。通常這種管芯要進(jìn)行封裝才能方便地使用。肖特基勢壘二極管的典型封裝結(jié)構(gòu)可采用“炮彈”式、微帶式、SOT貼片式等如圖2-30所示。
問:肖特基二極管與普通二極管從外觀上如何區(qū)分？肖特基二極管與普通二極管標(biāo)識有何區(qū)別？
答：除了型號，外形上一般沒什么區(qū)別，但可以測量正向壓降進(jìn)行區(qū)別，直接用數(shù)字萬用表測（小電流）普通二極管在0.5V以上，肖特基二極管在0.3V以下，大電流時(shí)普通二極管在0.8V左右，肖特基二極管在0.5V以下；SR350 就是表示3A50V。另肖特基二極管耐壓一般在100V以下，沒有150V以上的。
什么是快恢復(fù)二極管？
快恢復(fù)二極管（簡稱FRD）是一種具有開關(guān)特性好、反向恢復(fù)時(shí)間短特點(diǎn)的半導(dǎo)體二極管，主要應(yīng)用于開關(guān)電源、PWM脈寬調(diào)制器、變頻器等電子電路中，作為高頻整流二極管、續(xù)流二極管或阻尼二極管使用。
快恢復(fù)二極管的內(nèi)部結(jié)構(gòu)
與普通PN結(jié)二極管不同，它屬于PIN結(jié)型二極管，即在P型硅材料與N型硅材料中間增加了基區(qū)I，構(gòu)成PIN硅片。因基區(qū)很薄，反向恢復(fù)電荷很小，所以快恢復(fù)二極管的反向恢復(fù)時(shí)間較短，正向壓降較低，反向擊穿電壓（耐壓值）較高。
通常，5~20A的快恢復(fù)二極管管采用TO–220FP塑料封裝，20A以上的大功率快恢復(fù)二極管采用頂部帶金屬散熱片的TO–3P塑料封裝，5A以下的快恢復(fù)二極管則采用DO–41、DO–15或DO–27等規(guī)格塑料封裝。
采用TO–220或TO–3P封裝的大功率快恢復(fù)二極管，有單管和雙管之分。雙管的管腳引出方式又分為共陽和共陰。
性能特點(diǎn)
1）反向恢復(fù)時(shí)間
反向恢復(fù)時(shí)間tr的定義是：電流通過零點(diǎn)由正向轉(zhuǎn)換到規(guī)定低值的時(shí)間間隔。它是衡量高頻續(xù)流及整流器件性能的重要技術(shù)指標(biāo)。反向恢復(fù)電流的波形如圖1所示。IF為正向電流，IRM為最大反向恢復(fù)電流。
Irr為反向恢復(fù)電流，通常規(guī)定Irr=0.1IRM。當(dāng)t≤t0時(shí)，正向電流I=IF。當(dāng)t＞t0時(shí)，由于整流器件上的正向電壓突然變成反向電壓，因此正向電流迅速降低，在t=t1時(shí)刻，I=0。然后整流器件上流過反向電流IR，并且IR逐漸增大；在t=t2時(shí)刻達(dá)到最大反向恢復(fù)電流IRM值。此后受正向電壓的作用，反向電流逐漸減小，并在t=t3時(shí)刻達(dá)到規(guī)定值Irr。從t2到t3的反向恢復(fù)過程與電容器放電過程有相似之處。
2）快恢復(fù)、超快恢復(fù)二極管的結(jié)構(gòu)特點(diǎn)
快恢復(fù)二極管的內(nèi)部結(jié)構(gòu)與普通二極管不同，它是在P型、N型硅材料中間增加了基區(qū)I，構(gòu)成P-I-N硅片。由于基區(qū)很薄，反向恢復(fù)電荷很小，不僅大大減小了trr值，還降低了瞬態(tài)正向壓降，使管子能承受很高的反向工作電壓?？旎謴?fù)二極管的反向恢復(fù)時(shí)間一般為幾百納秒，正向壓降約為0.6V，正向電流是幾安培至幾千安培，反向峰值電壓可達(dá)幾百到幾千伏。超快恢復(fù)二極管的反向恢復(fù)電荷進(jìn)一步減小，使其trr可低至幾十納秒。
20A以下的快恢復(fù)及超快恢復(fù)二極管大多采用TO-220封裝形式。從內(nèi)部結(jié)構(gòu)看，可分成單管、對管（亦稱雙管）兩種。對管內(nèi)部包含兩只快恢復(fù)二極管，根據(jù)兩只二極管接法的不同，又有共陰對管、共陽對管之分。圖2(a)是C20-04型快恢復(fù)二極管（單管）的外形及內(nèi)部結(jié)構(gòu)。(b)圖和(c)圖分別是C92-02型（共陰對管）、MUR1680A型（共陽對管）超快恢復(fù)二極管的外形與構(gòu)造。它們均采用TO-220塑料封裝，幾十安的快恢復(fù)二極管一般采用TO-3P金屬殼封裝。更大容量（幾百安～幾千安）的管子則采用螺栓型或平板型封裝形式。
問：肖特基二極管和快恢復(fù)二極管又什么區(qū)別？
答：快恢復(fù)二極管是指反向恢復(fù)時(shí)間很短的二極管（5us以下），工藝上多采用摻金措施，結(jié)構(gòu)上有采用PN結(jié)型結(jié)構(gòu)，有的采用改進(jìn)的PIN結(jié)構(gòu)。其正向壓降高于普通二極管（1-2V），反向耐壓多在1200V以下。從性能上可分為快恢復(fù)和超快恢復(fù)兩個(gè)等級。前者反向恢復(fù)時(shí)間為數(shù)百納秒或更長，后者則在100納秒以下。
肖特基二極管是以金屬和半導(dǎo)體接觸形成的勢壘為基礎(chǔ)的二極管，簡稱肖特基二極管(Schottky Barrier Diode），具有正向壓降低（0.4--0.5V）、反向恢復(fù)時(shí)間很短（10-40納秒），而且反向漏電流較大，耐壓低，一般低于150V，多用于低電壓場合。
這兩種管子通常用于開關(guān)電源。
肖特基二極管和快恢復(fù)二極管區(qū)別：前者的恢復(fù)時(shí)間比后者小一百倍左右，前者的反向恢復(fù)時(shí)間大約為幾納秒~！
前者的優(yōu)點(diǎn)還有低功耗，大電流，超高速~！電氣特性當(dāng)然都是二極管阿~！
快恢復(fù)二極管在制造工藝上采用摻金,單純的擴(kuò)散等工藝,可獲得較高的開關(guān)速度,同時(shí)也能得到較高的耐壓.目前快恢復(fù)二極管主要應(yīng)用在逆變電源中做整流元件。
肖特基二極管：反向耐壓值較低40V-50V，通態(tài)壓降0.3-0.6V，小于10nS的反向恢復(fù)時(shí)間。它是具有肖特基特性的“金屬半導(dǎo)體結(jié)”的二極管。其正向起始電壓較低。其金屬層除材料外，還可以采用金、鉬、鎳、鈦等材料。其半導(dǎo)體材料采用硅或砷化鎵，多為N型半導(dǎo)體。這種器件是由多數(shù)載流子導(dǎo)電的，所以，其反向飽和電流較以少數(shù)載流子導(dǎo)電的PN結(jié)大得多。由于肖特基二極管中少數(shù)載流子的存貯效應(yīng)甚微，所以其頻率響僅為RC時(shí)間常數(shù)限制，因而，它是高頻和快速開關(guān)的理想器件。其工作頻率可達(dá)100GHz。并且，MIS（金屬－絕緣體－半導(dǎo)體）肖特基二極管可以用來制作太陽能電池或發(fā)光二極管。
快恢復(fù)二極管：有0.8-1.1V的正向?qū)▔航担?5-85nS的反向恢復(fù)時(shí)間，在導(dǎo)通和截止之間迅速轉(zhuǎn)換，提高了器件的使用頻率并改善了波形?？旎謴?fù)二極管在制造工藝上采用摻金,單純的擴(kuò)散等工藝,可獲得較高的開關(guān)速度,同時(shí)也能得到較高的耐壓.目前快恢復(fù)二極管主要應(yīng)用在逆變電源中做整流元件。
快速恢復(fù)二極管，顧名思義，是比普通二極管PN結(jié)的單向?qū)ㄩy門恢復(fù)快的二極管！用途也很廣。
問：肖特基二極管的主要應(yīng)用場景是什么？
雖然肖特基二極管已經(jīng)上市有幾十年了，新的發(fā)展和產(chǎn)品卻不斷增強(qiáng)了它的特性并擴(kuò)展了應(yīng)用的可能性。除了太陽能電池板和汽車，它們現(xiàn)在也被用于筆記本電腦、智能手機(jī)和平板電腦的電池充電器。但是，哪些肖特基二極管適合于何種用途呢？
肖特基二極管主要用于以下兩個(gè)領(lǐng)域：
1.整流，換句話說，在開關(guān)電源（開關(guān)模式電源，SMPS）或電源整流器內(nèi)部的交流至直流轉(zhuǎn)換，以及直流電壓轉(zhuǎn)換。
2.阻止直流電流和相反極性的直流的反向流動(dòng)，例如當(dāng)電池插入不正確時(shí)。
由于其較高的開關(guān)速度，肖特基二極管主要用于高達(dá)微波范圍的高頻應(yīng)用。這也是由于它們的低飽和能力。因此，它們通常在開關(guān)電源中以續(xù)流二極管或整流器二極管的形式用作降低感應(yīng)電壓的保護(hù)二極管，還可用作檢測電路的解調(diào)器。
問：為什么有的二極管是三個(gè)管教？
有些用于全波整流的二極管外形象三極管，是兩個(gè)二極管反向聯(lián)接（負(fù)極并在一起）封裝的，一般中間為負(fù)極，是為節(jié)約地方，使電路板更緊蔟。
來源：硬件十萬個(gè)為什么
