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光伏產(chǎn)業(yè)鏈?zhǔn)赚F(xiàn)分化 組件價(jià)跌硅片價(jià)漲
隨著去年四季度以來全球光伏應(yīng)用市場逐漸復(fù)蘇，國內(nèi)光伏產(chǎn)業(yè)也開始欣欣向榮。但由于過去幾年產(chǎn)能擴(kuò)張嚴(yán)重，光伏下游組件價(jià)格連續(xù)下挫。相比之下，由于產(chǎn)能不足，中游的硅片價(jià)格近期卻意外上漲。
2010-03-17
光伏 組件 硅片
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優(yōu)化高電壓IGBT
隨著綠色電力運(yùn)動勢頭不減，包括家電、照明和電動工具等應(yīng)用，以至其他工業(yè)用設(shè)備都在盡可能地利用太陽能的優(yōu)點(diǎn)。為了有效地滿足這些產(chǎn)品的需求，電源設(shè)計(jì)師正通過最少數(shù)量的器件、高度可靠性和耐用性，以高效率把太陽能源轉(zhuǎn)換成所需的交流或者直流電壓。本文介紹優(yōu)化高電壓IGBT造就高效率太陽能逆...
2010-03-17
IGBT MOSFET 驅(qū)動器
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RS推出1200種三洋半導(dǎo)體產(chǎn)品
RS Components宣布，通過其在線目錄RS Online渠道推出三洋（SANYO）半導(dǎo)體公司的1200類半導(dǎo)體產(chǎn)品。
2010-03-16
RS 三洋半導(dǎo)體 MOSFET IGBT 晶體管
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中國創(chuàng)新進(jìn)一步開拓新光源 迎接全LED時代
全界各地在LED技術(shù)的應(yīng)用漸趨多元化，反映產(chǎn)品的普及與認(rèn)可程度日增，業(yè)內(nèi)人士預(yù)料，LED產(chǎn)業(yè)有望急速發(fā)展。按照目前的增長速度估計(jì)，料年內(nèi)全國LED產(chǎn)業(yè)產(chǎn)值將超過1500億元人民幣，「全LED時代」有望在2015年到來。
2010-03-16
LED 新光源 路燈 照明
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日本應(yīng)用物理學(xué)會：東工大硅量子點(diǎn)太陽能電池取得新進(jìn)展
東京工業(yè)大學(xué)教授小長井誠研究小組，大幅提高了利用硅量子點(diǎn)的太陽能電池的開放電壓（Voc）及I-V特性形狀因子（FF）數(shù)值。2010年3月10日，該消息是在應(yīng)用物理學(xué)會舉行的2010年春季應(yīng)用物理學(xué)會學(xué)術(shù)演講會的會前新聞發(fā)布會上宣布的。
2010-03-16
日本 應(yīng)用物理 硅量子點(diǎn) 太陽能 電池
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ABB為中國太陽能發(fā)電提供技術(shù)支持
近日，全球領(lǐng)先的電力和自動化技術(shù)集團(tuán)ABB積極參與中國太陽能開發(fā)利用，為提升國家可再生能源占電力消費(fèi)比例、改善能源結(jié)構(gòu)做出積極貢獻(xiàn)。
2010-03-15
ABB 太陽能 發(fā)電 新能源 可再生能源
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怎樣辨別視頻線的好壞
本文主要介紹視頻線的目測外觀鑒別，傳輸性能測試
2010-03-15
視頻線 電纜 SYV電纜
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更小巧、更輕便、更低溫——IR GaN功率器件帶動功率技術(shù)革命
GaN技術(shù)平臺開創(chuàng)行業(yè)先河，是IR研發(fā)部門基于IR專利的GaN-on-Si硅上氮化鎵異質(zhì)外延技術(shù)，經(jīng)過5年精心研究的成果。高生產(chǎn)量的150mm硅上氮化鎵外延以及相關(guān)的器件制造工藝，完全符合IR具備成本效益的硅制造設(shè)施，可為客戶提供世界級的商業(yè)可行的氮化鎵功率器件制造平臺。
2010-03-15
輕便 低溫 IR GaN 功率器件 革命
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TDK-EPC 開發(fā)并量產(chǎn)SMD型LAN用脈沖變壓器
特別在使用于模塊(module)的情況下，敝社以往的產(chǎn)品在裝載時，基板與脈沖變壓器是先通過手動方式進(jìn)行配線處理。然后，為保持其安定性還需要使用樹脂來固定基板和零件。而該SMD型新產(chǎn)品，可利用回流(reflow)方式一次完成基板裝載,從而可以簡化生產(chǎn)工序。
2010-03-15
電感器 SMD LAN 脈沖變壓器
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