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思可達(dá)開(kāi)發(fā)出透射率高達(dá)97％的太陽(yáng)能電池用玻璃
河南思可達(dá)新型能源材料有限公司在正于上海市舉辦的太陽(yáng)能發(fā)電展“第四屆（2010）國(guó)際太陽(yáng)能光伏大會(huì)暨(上海)展覽會(huì)上，展出了透射率為97％以上的“超透射玻璃”。“僅使用該玻璃，太陽(yáng)能電池的轉(zhuǎn)換效率就會(huì)增加2～3％”。
2010-05-13
思可達(dá) 太陽(yáng)能 電池 玻璃
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ACNV2601：Avago推出適合高絕緣電壓應(yīng)用的10MBd數(shù)字光電耦合器
Avago Technologies(安華高科技)宣布推出具備高絕緣電壓規(guī)格的10MBd數(shù)字光電耦合器，適合電源和高功率電機(jī)控制應(yīng)用。Avago是為通信、工業(yè)和消費(fèi)類(lèi)等應(yīng)用領(lǐng)域提供模擬接口零組件的領(lǐng)導(dǎo)廠商。
2010-05-13
ACNV2601 Avago 高絕緣電壓 光電耦合器
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電子元件細(xì)分行業(yè)是產(chǎn)業(yè)升級(jí)關(guān)鍵
集成電路等電子元器件細(xì)分行業(yè)，是產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)升級(jí)推進(jìn)的關(guān)鍵，制約著國(guó)內(nèi)信息產(chǎn)業(yè)建設(shè)。
2010-05-13
電子元件 封裝 通富微電 集成電路 BAG
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安森美半導(dǎo)體榮獲龍旗控股頒發(fā) “優(yōu)秀供應(yīng)商”獎(jiǎng)
應(yīng)用于綠色電子產(chǎn)品的首要高性能、高能效硅方案供應(yīng)商安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor，美國(guó)納斯達(dá)克上市代號(hào)： ONNN )宣布榮獲全球領(lǐng)先的無(wú)線(xiàn)通訊技術(shù)產(chǎn)品和服務(wù)提供商龍旗控股(簡(jiǎn)稱(chēng)“龍旗”)頒發(fā)的“2009年度優(yōu)秀供應(yīng)商”獎(jiǎng)。
2010-05-12
安森美 龍旗 綠色電子產(chǎn)品 “優(yōu)秀供應(yīng)商”獎(jiǎng)
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ST發(fā)布高性能功率封裝 可提高M(jìn)Dmesh V功率密度
功率半導(dǎo)體廠商意法半導(dǎo)體推出一款先進(jìn)的高性能功率封裝，這項(xiàng)新技術(shù)將會(huì)提高意法半導(dǎo)體最新的MDmesh V功率MOSFET技術(shù)的功率密度。
2010-05-12
PowerFLAT? 8x8 HV 封裝 意法半導(dǎo)體 ST MOSFET MDmesh? V
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ThinPAK 8x8：英飛凌推出適用于高壓功率MOSFET的新型無(wú)管腳SMD封裝
英飛凌科技股份公司近日推出適用于高壓功率MOSFET的全新無(wú)管腳SMD封裝ThinPAK 8x8。新封裝的占板空間僅為64平方毫米（D2PAK的占板空間為150平方毫米），高度僅為1毫米（D2PAK的高度為4.4毫米）。
2010-05-12
ThinPAK 8x8 英飛凌 MOSFET SMD封裝
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力科公司宣布實(shí)時(shí)帶寬高達(dá)60GHz的示波器新技術(shù)演示成功
力科公司今天宣布：第六代DBI技術(shù)成功地在紐約實(shí)驗(yàn)室演示。最新一代的技術(shù)使用新的前端芯片，可以提供更低的噪聲以及更高的模擬帶寬。新的半導(dǎo)體工藝可以使新的DBI技術(shù)提供更低的噪聲，實(shí)時(shí)帶寬高達(dá)60GHz，是目前業(yè)界已產(chǎn)品化的最高帶寬示波器的2倍帶寬。 目前已在客戶(hù)端使用的最快帶寬30GHz示波器...
2010-05-12
60GHz 示波器 力科
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異步電動(dòng)機(jī)調(diào)速控制
變極調(diào)速是通過(guò)改變定子空間磁極對(duì)數(shù)的方式改變同步轉(zhuǎn)速，從而達(dá)到調(diào)速的目的。在恒定頻率情況下，電動(dòng)機(jī)的同步轉(zhuǎn)速與磁極對(duì)數(shù)成反比，磁極對(duì)數(shù)增加一倍，同步轉(zhuǎn)速就下降一半，從而引起異步電動(dòng)機(jī)轉(zhuǎn)子轉(zhuǎn)速的下降。本文講解異步電動(dòng)機(jī)調(diào)速的原理和控制電路
2010-05-11
異步電動(dòng)機(jī) 雙速三相 三速三相
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英飛凌推出大幅延長(zhǎng)IGBT模塊使用壽命的全新.XT技術(shù)
英飛凌推出創(chuàng)新的IGBT內(nèi)部封裝技術(shù)。該技術(shù)可大幅延長(zhǎng)IGBT模塊的使用壽命。全新的.XT技術(shù)可優(yōu)化IGBT模塊內(nèi)部所有連接的使用壽命。
2010-05-11
英飛凌 IGBT .XT技術(shù)
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