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有功功率和無功功率的理解
在交流電路中，由電源供給負(fù)載的電功率有兩種：一種是有功功率，一種是無功功率。電壓電流同相位，電源向負(fù)載供電，負(fù)載把電能轉(zhuǎn)換成其他能量，叫有功。電壓電流不同相位部分，電源與負(fù)載之間交換電能，這部分(除線路損耗外)電能不轉(zhuǎn)換(電磁以外的)成其他能量，叫無功。
2022-01-19
有功功率 無功功率
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安森美智能感知技術(shù)和方案助力工業(yè)自動(dòng)化創(chuàng)新
智能感知是賦能機(jī)器視覺、機(jī)器人、掃描和檢測(cè)等工業(yè)自動(dòng)化的關(guān)鍵技術(shù)之一。安森美(onsemi)在成像領(lǐng)域有超過40年的豐富經(jīng)驗(yàn)，在激光雷達(dá)(LiDAR)等深度感知領(lǐng)域也領(lǐng)先行業(yè)，提供各種先進(jìn)的智能感知方案，采用高度差異化的成像技術(shù)如高動(dòng)態(tài)范圍、全局快門、近紅外、RGB-IR及深度感知技術(shù)如硅光電倍增管...
2022-01-18
安森美 智能感知技術(shù) 工業(yè)自動(dòng)化
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SiC MOSFET的橋式結(jié)構(gòu)
在探討“SiC MOSFET：橋式結(jié)構(gòu)中Gate-Source電壓的動(dòng)作”時(shí)，本文先對(duì)SiC MOSFET的橋式結(jié)構(gòu)和工作進(jìn)行介紹，這也是這個(gè)主題的前提。
2022-01-17
SiC MOSFET 橋式結(jié)構(gòu)
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SiC MOSFET替代Si MOSFET，自舉電路是否適用？
自舉式懸浮驅(qū)動(dòng)電路可以極大的簡(jiǎn)化驅(qū)動(dòng)電源的設(shè)計(jì)，只需要一路電源就可以驅(qū)動(dòng)上下橋臂兩個(gè)開關(guān)管的驅(qū)動(dòng)，可以節(jié)省Si MOSFET功率器件方案的成本。隨著新能源受到全球政府的推動(dòng)與支持，與新能源相關(guān)的半導(dǎo)體芯片需求激増，導(dǎo)致產(chǎn)能緊缺。綠色低碳技術(shù)創(chuàng)新應(yīng)用是實(shí)現(xiàn)碳中和目標(biāo)的重要一環(huán)，碳化硅是應(yīng)...
2022-01-17
SiC MOSFET Si MOSFET 自舉電路
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如何才能更易于實(shí)施安全性？擴(kuò)展工業(yè)控制系統(tǒng)中的安全終端！
工業(yè)控制系統(tǒng)(ICS)中的網(wǎng)絡(luò)安全問題勢(shì)必延緩工業(yè)4.0的采用。許多企業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者發(fā)現(xiàn)ICS網(wǎng)絡(luò)安全挑戰(zhàn)非常難以理解，因?yàn)楸姸嘁蛩貙?dǎo)致其非常復(fù)雜。此外，開發(fā)工業(yè)控制系統(tǒng)解決方案的工程師可能尚未看到在設(shè)備層面的重大網(wǎng)絡(luò)安全要求。
2022-01-16
工業(yè)控制系統(tǒng) 安全終端
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如何運(yùn)用升降壓芯片CS5517實(shí)現(xiàn)鋰電池穩(wěn)定輸出3.3V/3.6V（1.2-5V）的電壓？
隨著包括無線耳機(jī)、健身設(shè)備、智能手表、水表與燃?xì)獗?、便攜式醫(yī)療設(shè)備以及各種電池供電的智能物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備的爆炸式增長(zhǎng)，以鋰電池為電源的應(yīng)用越來越普及。大多數(shù)移動(dòng)設(shè)備正常工作都需要一定的恒壓電源，以保證系統(tǒng)正常運(yùn)行。
2022-01-13
升降壓芯片CS5517 鋰電池
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狀態(tài)監(jiān)控(CbM)技術(shù)如何以更高能效實(shí)現(xiàn)海水淡化
如果我們可以飲用海水，會(huì)怎么樣？這將對(duì)農(nóng)業(yè)、可持續(xù)發(fā)展和全球生活質(zhì)量產(chǎn)生巨大影響，但對(duì)能源的需求同樣也很大。海水淡化技術(shù)非常耗電，且實(shí)施起來往往需要花費(fèi)大量的時(shí)間和資源。 這項(xiàng)技術(shù)在效率上的任何提升，都相當(dāng)引入注目?，F(xiàn)在，隨著ADI開發(fā)的OtoSense?平臺(tái)，我們突然覺得，提高效率似乎...
2022-01-12
狀態(tài)監(jiān)控 技術(shù) ADI
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高深寬比刻蝕和納米級(jí)圖形化推進(jìn)存儲(chǔ)器的路線圖
隨著市場(chǎng)需求推動(dòng)存儲(chǔ)器技術(shù)向更高密度、更優(yōu)性能、新材料、3D堆棧、高深寬比 (HAR) 刻蝕和極紫外 (EUV) 光刻發(fā)展，泛林集團(tuán)正在探索未來三到五年生產(chǎn)可能面臨的挑戰(zhàn)，以經(jīng)濟(jì)的成本為晶圓廠提供解決方案。
2022-01-10
高深寬比刻蝕 納米級(jí)圖形 存儲(chǔ)器
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雙極結(jié)型晶體管——MOSFET的挑戰(zhàn)者
數(shù)字開關(guān)通常使用MOSFET來創(chuàng)建，但是對(duì)于低飽和電壓的開關(guān)模型，雙極結(jié)型晶體管已成為不容忽視的替代方案。對(duì)于低電壓和低電流的應(yīng)用，它們不僅可以提供出色的電流放大效果，還具有成本優(yōu)勢(shì)。
2022-01-07
雙極結(jié)型晶體管 MOSFET
- 單個(gè)IC也能構(gòu)建緊湊、高效的雙極性穩(wěn)壓器
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