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盤點(diǎn)四款常用電阻性能及應(yīng)用的優(yōu)缺點(diǎn)
在電子元器件中，晶片電阻當(dāng)前始終保持很高的需求，并且是許多電路的基礎(chǔ)構(gòu)件。它們的空間利用率優(yōu)于分立式封裝電阻，減少了組裝前期準(zhǔn)備的工作量。本文將討論各種晶片電阻的優(yōu)缺點(diǎn)，以及在精密電路中的應(yīng)用。
2013-03-20
線繞電阻 薄膜電阻 厚膜電阻
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電力自動(dòng)化系統(tǒng)中的電磁兼容設(shè)計(jì)
隨著電力系統(tǒng)自動(dòng)化設(shè)備的迅猛發(fā)展和廣泛應(yīng)用，電力系統(tǒng)自動(dòng)化設(shè)備的電磁兼容問題越來(lái)越突出。特別是電力系統(tǒng)繼電保護(hù)、通信、控制和測(cè)量領(lǐng)域中應(yīng)用的計(jì)算機(jī)系統(tǒng)(包括單片機(jī)系統(tǒng))，電磁兼容問題更為突出。
2013-03-19
電力自動(dòng)化系統(tǒng) 電磁兼容
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4種常用的直流開關(guān)電源保護(hù)電路
對(duì)一個(gè)給定的直流開關(guān)電源來(lái)說，保護(hù)電路是否完善并按預(yù)定設(shè)置工作，對(duì)電源裝置的安全性和可靠性至關(guān)重要。因?yàn)殚_關(guān)電源的保護(hù)方案和電路結(jié)構(gòu)具有多樣性，所以對(duì)具體電源裝置而言，應(yīng)選擇合理的保護(hù)方案和電路結(jié)構(gòu)。在實(shí)際應(yīng)用中，通常選用幾種保護(hù)方式加以組合的方式構(gòu)成完善的保護(hù)系統(tǒng)，確保直流...
2013-03-19
開關(guān)電源 保護(hù)電路 過電流保護(hù)
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一種全新的新型的多門3D晶體管技術(shù)
FinFET技術(shù)面臨的挑戰(zhàn)與發(fā)展前景。和傳統(tǒng)的平面型晶體管相比，F(xiàn)inFET器件可以提供更顯著的功耗和性能上的優(yōu)勢(shì)。FinFET器件是場(chǎng)效應(yīng)晶體管（FET），名字的由來(lái)是因?yàn)榫w管的柵極環(huán)繞著晶體管的高架通道。
2013-03-19
3D晶體管 FinFET技術(shù) 寄生效應(yīng)
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使電容器壽命延長(zhǎng)的注意事項(xiàng)
鋁電解電容器一直都是電源的常用選擇，但是，它們壽命有限，且易受高溫和低溫極端條件的影響。工作溫度每下降10攝氏度，電容器壽命延長(zhǎng)一倍。
2013-03-19
電容器 壽命延長(zhǎng) 注意事項(xiàng)
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Molex將在2013年慕尼黑電子展上展示一系列連接器產(chǎn)品
Molex將參加3月19-21日在上海新國(guó)際博覽中心舉辦的2013年慕尼黑上海電子展，展示其連接器產(chǎn)品如何滿足非常廣泛且不斷增長(zhǎng)的應(yīng)用范圍需求。
2013-03-19
Molex 連接器 慕尼黑電子展
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關(guān)于變電站的EMC設(shè)計(jì)
目前綜自系統(tǒng)已基本上在新建變電站中普及，從運(yùn)行的總體情況看，保護(hù)裝置的準(zhǔn)確性、穩(wěn)定性等性能已基本能夠滿足運(yùn)行要求，但在網(wǎng)絡(luò)通信、數(shù)據(jù)交換、系統(tǒng)信息處理等方面特別是在受到電磁干擾情況下，還是暴露了一些不足。本文結(jié)合實(shí)際，簡(jiǎn)單介紹電磁兼容的內(nèi)容和幾種常用的抗電磁干擾技術(shù)措施。
2013-03-18
變電站 EMC
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比較兩類TVS的ESD保護(hù)作用
系統(tǒng)設(shè)計(jì)師采用多種方法來(lái)確保產(chǎn)品符合主流的ESD標(biāo)準(zhǔn)，包括解決外殼設(shè)計(jì)、電路板設(shè)計(jì)、元件選擇，甚至是軟件修復(fù)。其中一個(gè)重要的方法是在輸入和輸出(I/O)連接器等關(guān)鍵電路節(jié)點(diǎn)處使用保護(hù)元件。
2013-03-18
TVS ESD 元件選擇
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通用方波電路：雙柵極SET 與MOSFET 的混合特性
數(shù)字電路中，最基本的單元在于邏輯門設(shè)計(jì)。由SET 的周期振蕩特性和MOSFET 的閾值電壓特性可構(gòu)成雙柵極SET/MOSFET通用方波電路。
2013-03-18
方波電路 MOSFET 雙柵極SET
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