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設(shè)計新思路:高效中頻熔斷電源設(shè)計
廣大工程師都有這樣一個困擾，常規(guī)晶閘管并聯(lián)諧振中頻電源存在的在熔煉期內(nèi)輸出功率達不到額定功率，針對這一問題，本文設(shè)計了一種對DC/AC逆變器采用調(diào)節(jié)功率角φ的觸發(fā)控制電路，配合原有的AC/DC相控雙閉環(huán)控制電路，可以使中頻熔煉電源實現(xiàn)高效控制。
2013-05-17
中頻電源 晶閘管
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SICK推出新一代方型電感式接近開關(guān)IQ08/10/12
新一代IQ 系列方型電感式接近開關(guān)，提供IQ08，IQ10 以及IQ12 三種規(guī)格，在產(chǎn)品性能上繼續(xù)延續(xù)上一代產(chǎn)品的優(yōu)點，還引入了多項技術(shù)以提高產(chǎn)品穩(wěn)定性和可靠性應(yīng)對惡劣環(huán)境應(yīng)用。
2013-05-16
接近開關(guān)
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SICK推出電容式接近開關(guān)CM12
CM12電容式接近開關(guān)針對各種非金屬測量應(yīng)用進行了優(yōu)化，其外殼尺寸為直徑12mm，但檢測距離卻能達8mm，節(jié)省了安裝空間之余還拓寬了其應(yīng)用范圍。
2013-05-16
電容
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無線集抄技術(shù)前景一片光明
微處理器芯片作為智能化電能表的“心臟”，近幾年隨著應(yīng)用范圍的擴大，其技術(shù)水平也在不斷地提升，極大地促進了智能抄表的應(yīng)用。隨著無線通信技術(shù)在自動抄表系統(tǒng)及智能電網(wǎng)中的應(yīng)用，無線抄表技術(shù)得到很好的發(fā)展。
2013-05-16
無線集抄
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智能電表發(fā)展態(tài)勢強勁
智能電表作為新一代電能表，除了具備電能計量的基本功能外，還擁有用電信息存儲、遠程采集、信息交互等功能。相較于原有的卡式表和機械式表，智能電表使用戶購電更方便、用電更明白、生活更低碳。各種優(yōu)勢使智能電表受到我國社會各界的熱捧。
2013-05-16
智能電表
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高性能電解電容器是LED長壽命的保障
LED是一種壽命極長的電光源，其使用壽命可以達到10萬小時。但是，在實際應(yīng)用中，LED的壽命并不能達到理想的長度，有的甚至使用不到一年就已經(jīng)損壞。究其原因，鋁電解電容器是導(dǎo)致LED驅(qū)動電路壽命達不到要求的關(guān)鍵元素。如果能做出長壽命電解電容器，使電解電容器的壽命與LED壽命基本相同。那么，電...
2013-05-16
電解電容
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安森美推出降低30%開關(guān)損耗的截止型IGBT器件
近日，安森美半導(dǎo)體推出新的第二代場截止型(FSII)IGBT器件，降低開關(guān)損耗達30%，因而提供更高能效，并轉(zhuǎn)化為更低的外殼溫度，為設(shè)計人員增強系統(tǒng)總體性能及可靠性的選擇。這些新器件針對目標應(yīng)用進行了優(yōu)化，相比現(xiàn)有器件能降低外殼溫度達20%。
2013-05-16
安森美 IGBT 開關(guān)損耗
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孰優(yōu)孰劣:氮化鎵場效應(yīng)晶體管VS硅功率器件?
工程師常常認為當應(yīng)用需要更高電壓時，使用氮化鎵場效應(yīng)晶體管(eGaN FET)在性能方面才更具優(yōu)勢。但是，如果只是考慮開關(guān)品質(zhì)因數(shù)，相比先進的MOSFET器件，200V的eGaN FET器件的優(yōu)勢好像減弱了。GaN場效應(yīng)晶體管與硅功率器件中低壓降壓轉(zhuǎn)換器應(yīng)用中的性能到底怎樣？且聽本文細細分解。
2013-05-16
氮化鎵場效應(yīng)晶體管 硅功率器件
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僅有120ns最大傳播延遲的門驅(qū)動光電耦合器
近日，Avago Technologies推出二組新高速門驅(qū)動光電耦合器產(chǎn)品ACPL-P/W345和ACPL-P/W346，這些器件在設(shè)計上為用來保護和驅(qū)動功率MOSFET或碳化硅MOSFET的1A和2.5A門驅(qū)動光電耦合器，適合如變頻器、電機控制和開關(guān)電源(SPS)等高頻率應(yīng)用。相較于Avago前一代產(chǎn)品，ACPL-P/W345和ACPL-P/W346在傳播延遲...
2013-05-15
光電耦合器 傳播延遲
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